[发明专利]形成埋入式导线的方法及埋入式导线的结构有效

专利信息
申请号: 201210447327.4 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN103377997A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 维伟克·戈帕兰 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/528
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾桃园县龟山*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 形成 埋入 导线 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种形成埋入式导线的方法,其特征在于,包括:

提供基底,该基底中有沟槽且上有接触区域,其中该沟槽有一末端部分位于该接触区域中,且该沟槽中填充有导电层;

形成罩幕层覆盖该沟槽的该末端部分中的该导电层;以及

以该罩幕层为罩幕回蚀刻该导电层。

2.根据权利要求1所述的形成埋入式导线的方法,其特征在于,还包括:

移除该罩幕层;

在该基板上形成介电层;以及

在该介电层中形成至少一个接触窗,该接触窗位于该沟槽的该末端部分中的该导电层上。

3.根据权利要求2所述的形成埋入式导线的方法,其特征在于,还包括:

在移除该罩幕层之后但在形成该介电层之前,在不位在该沟槽的该末端部分中的该导电层之上形成顶盖层。

4.根据权利要求1所述的形成埋入式导线的方法,其特征在于,该导电层与该基底以绝缘层相隔。

5.根据权利要求1所述的形成埋入式导线的方法,其特征在于,该埋入式导线是用作字元线。

6.一种埋入式导线的结构,其特征在于,包括:

基底,该基底中有沟槽且上有接触窗,其中该沟槽有一末端部分位于接触区域中;以及

导电层,填充于该沟槽中,其中该沟槽的该末端部分中的该导电层的顶部高于不位在该沟槽的该末端部分中的该导电层的顶部。

7.根据权利要求6所述的埋入式导线的结构,其特征在于,还包括:

介电层,覆盖该基底及该导电层;以及

至少一个接触窗,位于介电层中,且位于该沟槽的该末端部分中的该导电层上。

8.根据权利要求7所述的埋入式导线的结构,其特征在于,还包括:顶盖层,位于不位在该沟槽的该末端部分中的该导电层之上。

9.根据权利要求6所述的埋入式导线的结构,其特征在于,还包括绝缘层,该导电层与该基底以该绝缘层相隔。

10.根据权利要求6所述的埋入式导线的结构,其特征在于,该埋入式导线是用作字元线。

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