[发明专利]一种聚合物纳米通道的制作方法

权利要求书

1.一种聚合物纳米通道的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在清洗后的衬底上旋转涂覆抗蚀剂，获得抗蚀剂层；

（2）烘烤除去抗蚀剂溶剂；

（3）通过曝光和显影，获得成对的纳米线条结构；

（4）用清洗液清洗纳米线条结构，待清洗液在空气中完全挥发后，纳米通道制作完成。

2.根据权利要求1所述的一种聚合物纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤（1）中，旋转涂覆包括先低转速旋转再高转速旋转，所述低转速为500转/s～1000转/s，涂覆时间为10s～60s，高转速旋转为1500转/s～3000转/s，涂覆时间为10s～60s，获得抗蚀剂层的厚度为0.3μm～5μm。

3.根据权利要求1所述的一种聚合物纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤（1）中，衬底为硅衬底，抗蚀剂为聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根据权利要求1所述的一种聚合物纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）中，在180℃的热台上烘烤1～3min。

5.根据权利要求1所述的一种聚合物纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中纳米线条结构的线宽为50nm～200nm，均为凸起结构，高度为300 nm～5μm。

6.根据权利要求1所述的一种聚合物纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤（4）中，清洗液与抗蚀剂的接触角小于90°。

7.根据权利要求1所述的一种聚合物纳米通道的制作方法，其特征在于：所述清洗液为异丙醇或水。