[发明专利]一种用于离子引出的引出抑制电极

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造装备离子注入机引出电极中引出抑制电极装备，其针对以往引出电极工作时，引出离子打到地电极及以后的管壁上所产生的二次电子被反加速进入离子源放电室而对其造成的影响，能可靠的抑制住二次电子的反弹，并为引出离子的纯度及聚焦做出有效的保障。

技术背景

离子注入机是半导体工艺中离子掺杂的典型设备，离子源产生需要掺杂的离子束，离子束再经过质量分析、校正、加速，传输到处于靶室终端工艺腔体的硅片表面。

1.在晶片的离子注入工艺中，束流的稳定性及其纯度要求愈来愈高。而这种要求直接影响半导体领域整体的注入质量，主要体现在以下几个方面：

2.在束流的注入中，离子剂量均匀的注入到晶片上。注入束流的不稳定性会引起注入的失败。

3.对于注入工艺，低能量大速流的离子注入机是发展的方向，束流的均匀性要求也越来越高。

4.在离子注入中，要求束流均匀性的同时，也要求加强束流的控制力，阻隔杂质离子，从而防止因能量污染引发的失败。

5.随着半导体集成电路制造工艺越来越微细化，对半导体制造设备的性能要求也就越来越高，此时要求具有较高的束流纯度，从而避免在设备工作时对部件造成的损伤。

发明内容

本发明公开了离子注入机系统中一种用于离子引出的引出抑制电极装置，其针对以往引出电极工作时，引出离子打到地电极及以后的管壁上所产生的二次电子被反加速进入离子源放电室而对其造成的影响，能可靠的抑制住二次电子的反弹，并为引出离子的纯度及聚焦做出有效的保障。本发明通过以下方案实现：

1.一种应用于离子引出的引出抑制电极的装置，包括：沉孔(1)、引束出口(2)、高纯石墨电极(3)、螺纹孔(4)、电极连接板(5)。

2.一种应用于离子引出的引出抑制电极的装置，高纯石墨电极(3)的沉孔(1)与电极连接板(5)的螺纹孔(4)通过螺钉相连起到固定的作用。引束出口(2)提供离子运动通道，被筛选出的离子将打到抑制电极上，被抑制电极吸收，这样提高了束流的纯度，保证测量束流的精度。

3.此滑动密封板所呈现的优势体现在：

I.简单可靠，易于加工制造；

II.提高束流的纯度，保证测量束流的精度；

III.有一定的聚焦作用。

附图说明

图1为引出抑制电极

图2为引出抑制电极连接装配体

具体实施方式

下面结合附图1和2具体实施例对本发明作进一步介绍，但不作为对本发明的限定。

引出抑制电极和电极连接板别如图1、图2所示。通过螺钉固定电极连接板(5)，高纯石墨电极(3)的沉孔(1)与电极连接板(5)的螺纹孔(4)共同固定高纯电极(3)，保证引出抑制电极稳固。引束出口(2)提供离子运动通道。

本发明的特定实施例已对本发明的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。