[发明专利]一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法

权利要求书

1.一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于，包括步骤：于硅衬底中形成高深宽比硅结构，并于所述高深宽比硅结构的侧壁形成含氟聚合物。

2.根据权利要求2所述的高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于，所述含氟聚合物为聚四氟乙烯。

3.根据权利要求1或2所述的高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）提供一硅衬底，采用热氧化法于所述硅衬底表面形成氧化硅层，并采用光刻工艺制备于需制作高深宽比硅结构的位置具有刻蚀窗口的氧化硅掩膜；

2）采用感应耦合等离子刻蚀法从所述刻蚀窗口对所述硅衬底交替进行刻蚀与钝化，形成高深宽比硅结构；

3）以CF₄、C₄F₈、C₄F₆、C₅F₈的一种或其任意混合为反应源气体，采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法于所述高深宽比硅结构侧壁沉积含氟聚合物；

4）去除所述氧化硅掩膜。

4.根据权利要求3所述的高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于：步骤2）中，采用SF₆及O₂混合气体作为刻蚀气体对所述硅衬底进行刻蚀，采用C₄F₈作为钝化气体对所述硅衬底进行钝化。

5.根据权利要求4所述的高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于：对所属硅衬底进行刻蚀时，所述SF₆的流量为100~160sccm，所述O₂的流量为10~16sccm，射频功率为500~700W，气压为90~100mtorr；对所属硅衬底进行钝化时，所述C₄F₈的流量为60~100sccm，射频功率为500~700W，气压为90~100mtorr。

6.根据权利要求3所述的高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于：所述反应源气体的流量为100~300sccm，射频功率为500~800W，气压为30~100mtorr。

7.根据权利要求1或2所述的高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）提供一硅衬底，采用热氧化法于所述硅衬底表面形成氧化硅层，并采用光刻工艺制备于需制作高深宽比硅结构的位置具有刻蚀窗口的氧化硅掩膜；

2）采用感应耦合等离子刻蚀法从所述刻蚀窗口对所述硅衬底交替进行刻蚀与钝化，形成高深宽比硅结构；

3）将聚四氟乙烯的乙酸丁酯溶液采用喷涂法沉积于所述高深宽比硅结构侧壁表面，并进行加热以使所述乙酸丁酯溶剂全部挥发；

4）去除所述氧化硅掩膜。

8.根据权利要求7所述的高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于：步骤3）于真空中加热以使所述乙酸丁酯溶剂全部挥发，加热温度为60~80℃。

9.根据权利要求1或2所述的高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）提供一硅衬底，采用热氧化法于所述硅衬底表面形成氧化硅层，并采用光刻工艺制备于需制作高深宽比硅结构的位置具有刻蚀窗口的氧化硅掩膜；

2）将上述结构置于KOH溶液中进腐蚀以在所述刻蚀窗口下方的硅衬底中形成高深宽比硅结构；

3）以CF₄、C₄F₈、C₄F₆、C₅F₈的一种或其任意混合为反应源气体，采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法于所述高深宽比硅结构侧壁沉积含氟聚合物；

4）去除所述氧化硅掩膜。

10.根据权利要求9所述的高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，其特征在于：步骤2）中，腐蚀温度为40~60℃，腐蚀时间为5~12h。