[发明专利]一种阵列基板及像素的驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是指一种阵列基板及像素的驱动方法。

背景技术

在显示技术领域，高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch）可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。因此被广泛应用于各种显示产品中，高级超维场转换技术是平面电场宽视角核心技术，即通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质。而TFS（Triple field switching）模式为在ADS技术的进一步改进，具有像素电容小，且透过率高的优点，TFS模式也可以认为是New ADS模式，即新的ADS模式。TFS模式的像素区域中，一个像素区域是由一根栅线（Gate）和两根数据线（Data）交叉形成的，即1G2D结构；通常情况下，像素区域的数据线与源极连接，数据线由驱动电路施加电压，并通过TFT开关，向像素电极传递信号；然而，该新的TFS模式下的阵列基板，两根数据线会分别与像素电极产生耦合电容，对于两根同样电压的数据线来讲，数据线与像素电极之间的耦合电容就是该两根数据线分别与像素电极之间的耦合电容的和，由于该耦合电容的存在，使从数据线传递给像素电极的信号有一定的延迟，从而导致画面显示出现问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及像素的驱动方法，可以避免由于数据线与像素电极之间的耦合电容而产生的跳变电压导致画面显示不均匀的现象。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种阵列基板，包括：栅线和数据线，一条栅线和两条数据线限定了像素区域，并在交叉处形成两个薄膜晶体管，所述像素区域内具有间隔排列的像素电极；其中，两个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管与第一像素电极连接，第二薄膜晶体管与第二像素电极连接；通过所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别向所述第一像素电极和所述第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。

其中，所述第一像素电极设置在所述两条数据线上方或者所述第二像素电极设置在所述两条数据线上方，且所述第一像素电极或者所述第二像素电极覆盖在所述两条数据线上方正投影的位置。

其中，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度大于所述第一数据线或者所述第二数据线的宽度。

其中，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度比所述第一数据线或者所述第二数据线的宽度宽6~12μm。

其中，与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板上还设置有公共电极。

其中，所述彩膜基板上，相对于所述数据线上方的对应位置的黑矩阵的宽度为12~26μm。

本发明的实施例还提供一种如上所述的阵列基板的像素的驱动方法，包括：

步骤1，分别向第一像素电极和第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。

其中，所述步骤1包括：

步骤11，获取第一像素电极和第二像素电极显示用的第一像素电压和第二像素电压，所述第一像素电压和第二像素电压大小相等，极性相反；

步骤12，确定数据线与像素电极产生的耦合电容；

步骤13，依据所述第一像素电压和所述第二像素电压以及所述耦合电容，确定第一数据线和第二数据线需要输入的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤14，通过驱动电路向第一数据线和第二数据线分别输出步骤13确定的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤15，根据所述第一数据线电压和所述第二数据线电压，通过所述像素区域的薄膜晶体管TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极。

其中，所述步骤12包括：

步骤121，根据第一数据线与所述第一像素电极之间的距离以及所述第一像素电极的宽度，确定所述第一数据线与所述像素区域的第一像素电极之间的第一耦合电容；

步骤122，根据第二数据线与所述第二像素电极之间的距离以及所述第二像素电极的宽度，确定所述第二数据线与所述像素区域的第二像素电极之间的第二耦合电容。

其中，所述步骤121或者步骤122中，所述第一耦合电容和第二耦合电容通过以下公式确定：