[发明专利]一种阵列基板及像素的驱动方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：栅线和数据线，一条栅线和两条数据线限定了像素区域，并在交叉处形成两个薄膜晶体管，所述像素区域内具有间隔排列的像素电极；其中，两个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管与第一像素电极连接，第二薄膜晶体管与第二像素电极连接；其特征在于，通过所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别向所述第一像素电极和所述第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极设置在所述两条数据线上方或者所述第二像素电极设置在所述两条数据线上方，且所述第一像素电极或者所述第二像素电极覆盖在所述两条数据线上方正投影的位置。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度大于所述第一数据线或者所述第二数据线的宽度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度比所述第一数据线或者所述第二数据线的宽度宽6~12μm。

5.根据权利要求1－4任一项所述的阵列基板，其特征在于，与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板上还设置有公共电极。

6.根据权利要求5所述阵列基板，其特征在于，所述彩膜基板上，相对于所述数据线上方的对应位置的黑矩阵的宽度为12~26μm。

7.一种如权利要求1所述的阵列基板的像素的驱动方法，其特征在于，包括：

步骤1，分别向第一像素电极和第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。

8.根据权利要求7所述的像素的驱动方法，其特征在于，所述步骤1包括：

步骤11，获取第一像素电极和第二像素电极显示用的第一像素电压和第二像素电压，所述第一像素电压和第二像素电压大小相等，极性相反；

步骤12，确定数据线与像素电极产生的耦合电容；

步骤13，依据所述第一像素电压和所述第二像素电压以及所述耦合电容，确定第一数据线和第二数据线需要输入的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤14，通过驱动电路向第一数据线和第二数据线分别输出步骤13确定的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤15，根据所述第一数据线电压和所述第二数据线电压，通过所述像素区域的薄膜晶体管TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极。

9.根据权利要求8所述的像素的驱动方法，其特征在于，所述步骤12包括：

步骤121，根据第一数据线与所述第一像素电极之间的距离以及所述第一像素电极的宽度，确定所述第一数据线与所述像素区域的第一像素电极之间的第一耦合电容；

步骤122，根据第二数据线与所述第二像素电极之间的距离以及所述第二像素电极的宽度，确定所述第二数据线与所述像素区域的第二像素电极之间的第二耦合电容。

10.根据权利要求9所述的像素的驱动方法，其特征在于，所述步骤121或者步骤122中，所述第一耦合电容和第二耦合电容通过以下公式确定：

C_dp(M+2)=C_dp(M+3)=ϵSd;]]>

其中，C_dp(M+2)为所述第一耦合电容，C_dp(M+3)为所述第二耦合电容，ε是一个介电常数，S为第一数据线和第二数据线所在电容极板与像素电极所在电容极板的正对面积，d为电容极板间的距离。