[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种具有限流结构的发光装置。

背景技术

发光二极管元件经由接合工艺(bonding)接合于一基板的接垫上。然而，在接合工艺中，常会发生接合剂溢流出接合区外的现象。更严重者，接合剂溢流至邻近接垫而污染到此邻近接垫。

发明内容

本发明有关于一种发光装置，可改善溢流的接合剂污染到邻近接垫的问题。

根据本发明的一实施例，提出一种发光装置。发光装置包括一基板、一第一接垫、一发光二极管及一限流结构。第一接垫形成于基板上。发光二极管设置于基板上并电性连接第一接垫。限流结构邻接第一接垫而形成于基板上，或形成于第一接垫的边缘。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的发光装置的剖视图。

图2绘示图1的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。

图3绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。

图4绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。

图5绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。

图6绘示发光二极管接合至图5的第一接垫及第二接垫的剖视图。

图7绘示图6的第二接垫、接合剂及限流结构的局部立体图。

图8绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。

图9绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。

主要元件符号说明：

100：发光装置

110：基板

110u：上表面

110b：下表面

111：凹陷部

120：第一接垫

120s1：第一侧面

120s2：第三侧面

130：第二接垫

130s1：第二侧面

130s2：第四侧面

140：发光二极管

150：第一限流结构

250：第二限流结构

160：接合剂

具体实施方式

请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的发光装置的剖视图。发光装置100包括基板110、第一接垫120、第二接垫130、发光二极管140及第一限流结构150。

基板110具有相对的上表面110u与下表面110b。基板110例如是金属基板、陶瓷基板、单层/多层电路板或其它合适基板。

第一接垫120形成于基板110的上表面110u上，且具有第一侧面120s1。本实施例中，第一接垫120的横剖面形状矩形，然亦可为圆形、椭圆形或多边形，其中多边形例如是三角形、梯形或其它多边形。

第二接垫130具有第二侧面130s1，其与第一接垫120的第一侧面120s1相面对。第二接垫130的横剖面形状可相似于第一接垫120，容此不再赘述。

发光二极管140通过接合剂160设于基板110上并电性连接第一接垫120及第二接垫130。

第一限流结构150例如是凹陷结构，其邻接第一接垫120及第二接垫130而形成于基板110上。举例来说，第一限流结构150邻接第一接垫120及第二接垫130而形成于基板110上，并从上表面110u往下表面110b的方向延伸一距离，此距离小于基板的厚度，即第一限流结构150未贯穿基板110。

由于第一限流结构150位于第一侧面120s1与第二侧面130s1之间，故当发光二极管140通过接合剂160与基板110的第一接垫120及第二接垫130接合后，多余接合剂160会溢流至第一限流结构150内，而避免多余的接合剂160溢流至邻近的接垫而污染到邻近的接垫。此外，经由设计第一限流结构150的尺寸，可获得预期的容纳溢流接合剂160的空间。

请参照图2，其绘示图1的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。第一限流结构150仅邻接于第一接垫120的第一侧面120s1及第二接垫130的第二侧面130s1，然此非用以限制本发明实施例，以下举例说明。