[发明专利]一种相位插值器电路及相位插值信号处理方法有效

专利信息
申请号: 201210428077.X 申请日: 2012-10-31
公开(公告)号: CN103795404B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 刘昌 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司;深圳市中兴微电子技术有限公司
主分类号: H03L7/00 分类号: H03L7/00;H03K17/14
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 代理人: 张颖玲,蒋雅洁
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 相位 插值器 电路 信号 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种相位插值器电路,其特征在于,包括场效应管开关电路,主数模转换装置和辅数模转换装置,其中,

所述场效应管开关电路通过自身的第一端口与时钟信号输入端连接,通过自身的第二端口与信号输出端相连接,并通过自身的第三端口分别与辅数模转换装置和主数模转换装置相连接;

所述主数模转换装置通过自身的第一端口与数字信号输入端相连接,用于将数字信号输入端输入的数字信号转换为模拟电流信号,并将转换的模拟电流信号通过自身的第二端口输出给场效应管开关电路,用以调整场效应管开关电路的电流信号;

所述辅数模转换装置通过自身的第一端口与数字信号输入端相连接,用于根据主数模转换装置输出给场效应管开关电路的模拟电流信号,以及时钟信号输入端输入的时钟信号,将数字信号输入端输入的数字信号转换为需要为场效应管开关电路进行高阶补偿的模拟电流信号,并将转换的模拟电流信号通过自身的第二端口输出给场效应管开关电路,用以辅助主数模转换装置调整场效应管开关电路的电流信号。

2.如权利要求1所述的相位插值器电路,其特征在于,所述场效应管开关电路包括第一N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管NMOS和第二NMOS;

所述场效应管开关电路通过自身的第一端口与时钟信号输入端连接,通过自身的第二端口与信号输出端相连接,并通过自身的第三端口分别与辅数模转换装置和主数模转换装置相连接,具体为:

第一NMOS的漏极与正信号输出端OUTP连接,其栅极与时钟信号输入端连接,其源极分别与辅数模转换装置和主数模转换装置连接;

所述第二NMOS的漏极与负信号输出端OUTN连接,其栅极与时钟信号输入端连接,其源极分别与辅数模转换装置和主数模转换装置连接。

3.如权利要求1所述的相位插值器电路,其特征在于,所述辅数模转换装置为将数字信号转化为电流值大小可调的模拟电流信号的装置,其中,所述电流值的调整范围为倍的主数模转换装置电流值。

4.一种相位插值器电路,其特征在于,包括四个场效应管开关电路,每个场效应管开关电路分别连接一个辅数模转换装置,和一个主数模转换装置,其中,

每个场效应管开关电路分别通过自身的第一端口与时钟信号输入端连接,通过自身的第二端口分别与信号输出端相连接,并通过自身的第三端口分别与和自身连接的辅数模转换装置和主数模转换装置相连接;

所述主数模转换装置通过自身的第一端口与数字信号输入端相连接,用于将数字信号输入端输入的数字信号转换为模拟电流信号,并将转换的模拟电流信号通过自身的第二端口输出给所述四个场效应管开关电路,用以调整场效应管开关电路的电流信号;

每个辅数模转换装置分别通过自身的第一端口与数字信号输入端相连接,用于根据主数模转换装置输出给场效应管开关电路的模拟电流信号,以及时钟信号输入端输入的时钟信号,将数字信号输入端输入的数字信号转换为需要为场效应管开关电路进行高阶补偿的模拟电流信号,并将转换的模拟电流信号分别通过自身的第二端口输出给与自身连接的场效应管开关电路,用以辅助主数模转换装置调整与自身连接的场效应管开关电路的电流信号。

5.如权利要求4所述的相位插值器电路,其特征在于,所述四个场效应管开关电路均包括第一N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管NMOS和第二NMOS;

所述场效应管开关电路通过自身的第一端口与时钟信号输入端连接,通过自身的第二端口与信号输出端相连接,并通过自身的第三端口分别与辅数模转换装置和主数模转换装置相连接,具体为:

第一NMOS的漏极与正信号输出端OUTP连接,其栅极与时钟信号输入端连接,其源极分别与辅数模转换装置和主数模转换装置连接;

所述第二NMOS的漏极与负信号输出端OUTN连接,其栅极与时钟信号输入端连接,其源极分别与辅数模转换装置和主数模转换装置连接。

6.如权利要求4所述的相位插值器电路,其特征在于,所述四个辅数模转换装置均为将数字信号转化为电流值大小可调的模拟电流信号的装置,其中,所述电流值的调整范围为倍的主数模转换装置电流值。

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