[发明专利]数据储存装置与快闪存储器控制方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种数据储存装置以及快闪存储器控制方法。

背景技术

快闪存储器(FLASH memory)为常见的一种非挥发性储存技术，牵涉电性抹除与编程技术。

以非及闸型的快闪存储器(NAND FLASH)为例，主要用作存储卡(memorycard)、通用序列汇流排闪存装置(USB flash device)、固态硬碟(SSD)…等产品。采多芯片封装，将NAND Flash芯片与控制芯片包成一颗芯片者则称为嵌入式快闪存储器模组(eMMC)。

非及闸型的快闪存储器的储存阵列包括多个区块(blocks)，各区块的空间更可划分为多个“页”(pages)；作数据储存用的区块称为数据区块(data blocks)，且另有闲置区块(spare blocks)待配置使用。视使用状况，储存空间可能会有损毁发生。由于损坏的区块需排除不再使用，闲置区块的数量会随之减少。一旦闲置区块的数量低于一临界量，整个快闪存储器通常需切换成一寿命终了(End-of-Life，ELF)状态，只允许读取而不能再写入数据。

本领域一项重要课题即如何延长快闪存储器的使用寿命，允许使用者正常读写之。

发明内容

本发明揭露一种数据储存装置以及一种快闪存储器控制方法。

根据本发明一种实施方式所实现的数据储存装置包括：快闪存储器以及控制器。快闪存储器提供空间储存数据、逻辑-物理位址映射表、以及写入保护标示表。写入保护标示表用于标示各逻辑位址为写入保护与否。控制器根据主机发送的一动态容量管理要求所指示的一段空间释出逻辑位址修改该逻辑-物理位址映射表，以断开该段空间释出逻辑位址原本的逻辑-物理位址对应关系。此外，该控制器更将该写入保护标示表中对应该段空间释出逻辑位址的旗标切换为写入保护状态、且对应修正一寿命终了判断参数，以使该快闪存储器跳脱一寿命终了状态，允许数据写入操作。

根据本发明一种实施方式所实现的快闪存储器控制方法，包括：根据主机发送的一动态容量管理要求所指示的一段空间释出逻辑位址修改一快闪存储器所储存的一逻辑-物理位址映射表，以断开该段空间释出逻辑位址原本的逻辑-物理位址对应关系；将该快闪存储器所储存的一写入保护标示表中对应该段空间释出逻辑位址的旗标切换为写入保护状态，该写入保护标示表以旗标标示各逻辑位址为写入保护与否；以及，根据该写入保护标示表的各旗标的状态对应修正一寿命终了判断参数，以使该快闪存储器跳脱一寿命终了状态，允许数据写入操作。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，详细说明如下。

附图说明

图1为一方块图，图解有根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置100；

图2以流程图图解根据本发明一种实施方式所实现的一种快闪存储器控制方法；且

图3以流程图图解关于一复电状况的快闪存储器控制方法。

【主要元件符号说明】

100~数据储存装置；102~快闪存储器；

104~控制器；106~随机存取存储器；

112~数据区块；114~闲置区块；

120~主机；

Blk1…BlkN…BlkN+l…BlkM~区块；

H2F~逻辑-物理位址映射表；

H2F[Hi:Hj]~逻辑-物理位址映射表H2F中对应逻辑位址Hi~Hj的栏位；

PoPk~断电保护表PoffProt中对应该段空间释放逻辑位址Hi~Hj的一旗标；

PoffProt~断电保护表；

S202~接收一主机120发送的动态容量管理要求；

S204~将断电保护表PoffProt中对应该段空间释出逻辑位址Hi~Hj的一旗标PoPk设定为”ON”状态；

S206~根据该段空间释出逻辑位址Hi~Hj修改逻辑-物理位址映射表H2F的栏位H2F[Hi:Hj]，以断开该段空间释出逻辑位址Hi~Hj原本的逻辑-物理位址对应关系；

S208~将写入保护标示表WriteProt中对应该段空间释出逻辑位址Hi~Hj的标签WPGk设定为一写入保护状态；

S210~根据该写入保护标示表WriteProt中为写入保护状态的旗标数量修正上述寿命终了判断参数EOL_para；

S212~将断电保护表PoffProt中对应该段空间释出逻辑位址Hi~Hj的旗标PoPk复原为”OFF”状态；