[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210423008.X | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN103076701A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 枪田浩幸;扇一公俊;栗山英树 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器东 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333;G03F7/00;G03F1/80 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
横电场方式的液晶显示面板中,在夹着液晶层配置的一对基板中的一个基板的内表面侧相互绝缘地设置一对电极,对液晶分子施加大致横向的电场。为驱动液晶而使用薄膜晶体管。
专利文献1:日本特开2007-133410号公报
发明内容
在专利文献1中公开了薄膜晶体管的制造方法。据此,能够通过五次的光刻工序来制造薄膜晶体管,但一对电极间的绝缘层由于为两层而变厚,必须提高液晶的驱动电压。为了使绝缘层为一层,需要增加光刻工序。或者,不论理由为何,希望避免增加光刻工序。
本发明的目的在于不增加光刻工序地制造液晶显示装置。
(1)本发明的液晶显示装置的特征在于,包括:基板、形成在所述基板上的第一透明电极、以置于所述第一透明电极的端部的方式形成在所述基板上的第一绝缘层、配置在所述第一绝缘层之下的栅电极、形成在所述第一绝缘层之上的半导体层、形成为从所述半导体层上到所述第一透明电极上并与所述第一透明电极电连接的第一布线、相对于所述第一布线隔开间隔地从所述半导体层上引出的第二布线、覆盖所述第一布线、所述第二布线、所述半导体层及所述第一透明电极的第二绝缘层、形成在所述第二绝缘层上的第二透明电极、以及配置在所述第二透明电极之上的液晶层,借助在所述第一透明电极和所述第二透明电极之间施加的电压,在所述基板的面方向施加电场,从而使所述液晶层的液晶分子在与所述基板平行的面内旋转。根据本发明,第一布线在第一透明电极上电连接,因此不需要在第二绝缘层上形成通孔。因此,能够不增加光刻工序地制造能够通过不使用通孔的电连接而较低地抑制电阻值的液晶显示装置。
(2)在(1)中记载的液晶显示装置中,其特征可以是,所述第一绝缘层的端部在所述第一透明电极的所述端部上,以朝向前端而厚度变薄的方式形成,且具有以锐角的倾斜角倾斜的倾斜面,在所述倾斜面上形成所述第一布线。
(3)本发明的液晶显示装置的制造方法的特征在于,包括:包含使用了通过第一光刻而形成的第一抗蚀层的蚀刻,由形成在基板上的第一透明导电膜及形成在所述第一透明导电膜上的金属膜形成第一透明电极及栅电极的工序;包含使用了通过第二光刻而形成的第二抗蚀层的蚀刻,在所述基板上形成置于所述第一透明电极的端部并且在之上具有半导体层的第一绝缘层的工序;包含使用了通过第三光刻而形成的第三抗蚀层的蚀刻,形成以从所述半导体层上到所述第一透明电极上的方式配置并与所述第一透明电极电连接的第一布线及相对于所述第一布线隔开间隔地从所述半导体层上引出的第二布线的工序;包含使用了通过第四光刻而形成的第四抗蚀层的蚀刻,形成覆盖所述第一布线、所述第二布线、所述半导体层及所述第一透明电极的第二绝缘层的工序;包含使用了通过第五光刻而形成的第五抗蚀层的蚀刻,在所述第二绝缘层上形成第二透明电极的工序;以及在所述第二透明电极之上配置含有液晶分子的液晶层的工序,借助在所述第一透明电极和所述第二透明电极之间施加的电压而在所述基板的面方向施加电场,从而所述液晶层的液晶分子在与所述基板平行的面内旋转。根据本发明,通过五次的光刻,能够在第一透明电极和第二透明电极之间形成由一层构成的第二绝缘层,因此能够以较少次数的光刻工序来制造液晶显示装置。
(4)在(3)中记载的液晶显示装置的制造方法中,其特征可以是,在形成所述第一透明电极及所述栅电极的工序中,所述第一抗蚀层包括厚度不同的第一厚层部及第一薄层部,将所述第一厚层部配置在所述栅电极的形成区域,将所述第一薄层部配置在所述第一透明电极的形成区域,将所述第一厚层部及所述第一薄层部作为掩模来蚀刻所述第一金属膜,在所述第一厚层部之下形成所述栅电极,在所述第一薄层部之下以与所述第一透明电极的所述形成区域相对应的形状留下所述第一金属膜,通过使所述第一厚层部及所述第一薄层部变薄的处理,留下所述第一厚层部,除去所述第一薄层部,在所述第一透明电极的所述形成区域露出所述第一金属膜,将露出的所述第一金属膜及所述第一厚层部作为掩模来蚀刻所述第一透明导电膜从而在露出的所述第一金属膜之下形成所述第一透明电极,将所述第一厚层部作为掩模来蚀刻并除去露出的所述第一金属膜,剥离所述第一抗蚀层。
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