[发明专利]无刷直流电机驱动电路拓扑结构

权利要求书

1.一种无刷直流电机驱动电路拓扑结构，它包括正向馈能通路(1)和反向续流通路(2)，其特征在于：它还包括DC/DC变换电路(3)，

正向馈能通路(1)连接在两个直流母线之间，DC/DC变换电路(3)的两个输入端分别连接在两个直流母线上，反向续流通路(2)并联在DC/DC变换电路(3)的两个输出端之间，DC/DC变换电路(3)的三个输出端分别与正向馈能通路(1)的三个输出端连接后作为无刷直流电机驱动电路的输出端；

DC/DC变换电路(3)由第一一电容C₁₁、第一二电容C₁₂、第二一电容C₂₁、第二二电容C₂₂、第一电感L₁₀、第二电感L₂₀、第一二极管D₁₀、第二二极管D₂₀、第一开关管Q₁₀和第二开关管Q₂₀组成，

第一一电容C₁₁和第二一电容C₂₁串联后连接在DC/DC变换电路(3)的两个输出端之间，第一二电容C₁₂和第二二电容C₂₂串联后连接在两个直流母线之间，在第一一电容C₁₁和第一二电容C₁₂之间由第一开关管Q₁₀、第一二极管D₁₀和第一电感L₁₀构成降压斩波buck电路；在第二一电容C₂₁和第二二电容C₂₂之间由第二开关管Q₂₀、第二二极管D₂₀和第二电感L₂₀构成升压斩波电路；四个电容分别有一端短接至同一点，两个二极管也分别有一端短接至该同一点。

2.根据权利要求1所述的无刷直流电机驱动电路拓扑结构，其特征在于：第一开关管Q₁₀和第二开关管Q₂₀均为含寄生二极管的IGBT或均为含寄生二极管的MOSFET。

3.根据权利要求1所述的无刷直流电机驱动电路拓扑结构，其特征在于：第一开关管Q₁₀和第二开关管Q₂₀均为IGBT与反并联二极管的组合，或者均为MOSFET与反并联二极管的组合。

4.根据权利要求1、2或3所述的无刷直流电机驱动电路拓扑结构，其特征在于：正向馈能通路(1)为由六个不含寄生二极管的逆向阻断式绝缘栅极双极性晶体管组成的桥式拓扑结构。

5.根据权利要求1、2或3所述的无刷直流电机驱动电路拓扑结构，其特征在于：反向续流通路(2)为由六个续流二极管组成的桥式拓扑结构。