[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S101：在形成有目标膜层的半导体衬底上形成核心材料层和位于其上的硬掩膜；

步骤S102：在所述半导体衬底上形成间隔材料薄膜；

步骤S103：对所述间隔材料薄膜进行刻蚀以形成位于所述核心材料层侧壁的间隔层；

步骤S104：在所述半导体衬底上形成覆盖所述目标膜层的牺牲层；

步骤S105：对所述半导体衬底进行刻蚀，在去除部分所述牺牲层的同时去除所述硬掩膜；

步骤S106：去除所述核心材料层和所述牺牲层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S101包括：

步骤S1001：在形成有目标膜层的半导体衬底上形成一层核心材料薄膜；

步骤S1002：在所述核心材料薄膜上形成一层硬掩膜层；

步骤S1003：在所述硬掩膜层上形成一层光刻胶；

步骤S1004：对所述光刻胶进行曝光、显影处理，去除要形成核心材料层的区域之外的光刻胶；

步骤S1005：以所述显影后的光刻胶为掩膜对所述硬掩膜层和核心材料薄膜进行刻蚀，形成核心材料层和硬掩膜的图形。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述核心材料层的材料为光刻胶、底部抗反射层、有机薄膜、无定形碳、电介质薄膜、金属薄膜中的任意一种或者任意两种以上的组合。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述核心材料层的方法为：光刻工艺、等离子体刻蚀、湿法刻蚀、灰化、剥离、纳米压印或定向自组装构图工艺。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜为有机薄膜、电介质薄膜、金属薄膜中的任意一种或者任意两种以上的组合。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述硬掩膜的方法为涂布、CVD、PVD、ALD或EPI。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中采用高刻蚀选择比，以使所述刻蚀停止于目标膜层的上方。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中所形成的牺牲层完全覆盖所述目标膜层、所述硬掩膜和所述间隔层。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中所形成的牺牲层为光刻胶、底部抗反射层、有机薄膜、无定形碳、电介质薄膜中的一种或至少两种的组合。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中所采用的刻蚀方法为回刻蚀工艺。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106中所采用的方法为干法刻蚀、湿法刻蚀、剥离、灰化工艺中的至少一种。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106之后还包括步骤S107：以所述间隔层为掩模，对所述目标膜进行刻蚀，形成拟实现的最终的图形。