[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法

权利要求书

1.等离子体处理装置，包括：

长形的腔室，其具有开口部；

气体供给装置，其向所述腔室内供给气体；

螺旋线圈，其在与所述腔室的长边方向平行的方向上具有细长的形状；以及

高频电源，其连接于所述螺旋线圈，

该等离子体处理装置还包括：

基材载置台，其与所述开口部相对配置，并且保持基材；以及

移动机构，其在所述腔室的长边方向与所述开口部的长边方向平行配置的状态下，能够在与所述开口部的长边方向垂直的方向上相对地移动所述腔室和所述基材载置台。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

在将“所述腔室的深度”定义为“所述腔室的内部的、相对于所述腔室的短边方向以及长边方向的、所述腔室的深度方向的长度”时，所述腔室的深度为0.5mm以上且7mm以下。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

所述螺旋线圈为平面状。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，

所述腔室的接近所述螺旋线圈一侧的内壁面为与所述螺旋线圈构成的平面平行的平面。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

所述腔室构成为处在两块电介质板之间的空间，该两块电介质板中的至少一块具有槽。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

所述腔室的外形比所述螺旋线圈的外形大。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

所述腔室的深度为1mm以上且5mm以下。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

所述开口部设置在所述腔室中与所述螺旋线圈相反的一侧。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

从所述开口部到所述腔室的方向与从所述螺旋线圈到所述腔室的方向相互垂直。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

所述螺旋线圈由中空管构成且构成为制冷剂在所述螺旋线圈内流动，并且所述螺旋线圈粘合于构成所述腔室的壁面的部件，或者粘合于与构成所述腔室的壁面的部件粘合的部件。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

水冷管粘合于构成所述腔室的壁面的部件，或者粘合于与构成所述腔室的壁面的部件粘合的部件。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，

所述水冷管设置在所述腔室中与所述螺旋线圈相反的一侧。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，

所述水冷管为导体并且接地。

14.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

与所述螺旋线圈的长边方向平行且通过所述螺旋线圈的中心的直线、与所述腔室的长边方向平行且通过所述腔室的中心的直线、与构成通向所述腔室的气体导入部的线状部的长边方向平行且通过所述线状部的中心的直线、以及与所述开口部的长边方向平行且通过所述开口部的中心的直线相互平行并且配置在同一平面上。

15.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

在构成所述腔室的壁面的部件，或者与构成所述腔室的壁面的部件粘合的部件中，在与所述开口部的长条方向平行的方向上设置有长条的贯通孔，且构成为制冷剂在所述贯通孔内流动。

16.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

在所述开口部的附近具备多个保护气体供给口，所述保护气体供给口在与所述开口部的长条方向平行的方向上排列。

17.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

所述开口部所形成的线状部与构成所述螺旋线圈的短边方向的部分相比配置在更内侧。

18.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

通向所述腔室的作为气体导入部的线状部与构成所述螺旋线圈的短边方向的部分相比配置在更内侧。

19.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

包括两个所述螺旋线圈，并且所述腔室处在两个线圈之间。

20.等离子体处理方法，包括：

准备基材的工序；

准备长形的腔室的工序，该长形的腔室在下端具有与长边方向平行设置的等离子体喷出口，在内部具有等离子体产生区域，且由电介质部件形成；

向所述腔室的内部导入气体，同时在所述腔室内产生高频电磁场，由此在所述腔室内产生等离子体的工序；

将所述腔室配置在所述基材的上方，利用所述等离子体对所述基材的表面进行等离子体处理的工序；以及

在与所述等离子体喷出口的长边方向垂直的方向上使所述基材与所述腔室相对移动的工序，

在将“所述腔室的深度”定义为“相对于所述腔室的短边方向以及所述腔室的长边方向的、所述腔室的深度方向上的所述腔室的内部的长度”时，使所述腔室的深度为0.5mm以上且7mm以下。