[发明专利]氧化物薄膜的图案化制程有效
申请号: | 201210413839.9 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN103578922A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 林晋庆;陈俞君;王恩光;江美静;陈怡真 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 薄膜 图案 化制程 | ||
【技术领域】
本发明涉及一种薄膜的图案化制程,特别是涉及氧化物薄膜的图案化制程。
【背景技术】
氧化物薄膜图案化制程大多利用黄光微影以及蚀刻的方式制作;但是有些氧化物如氧化锡是非常不易被蚀刻的。举例来说氧化锡通常是不能用蚀刻方法制作图案的。除了蚀刻制程外尚有一种图案化制程是剥除(lift-off)。例如氧化锡薄膜的图案化可用剥除(lift-off)制程来制作。剥除(lift-off)制程图案化过程中需要清除氧化物薄膜,氧化物薄膜清除的效果可根据清除干净所需的时间作为判断因素之一。目前亟需一种具有良好氧化物薄膜清除效果的清除方法。
【发明内容】
本发明提供一种氧化物薄膜的图案化制程,包括:将阻挡层组合物覆盖在基材上以形成图案化的阻挡层,其中该阻挡层组合物包含无机成分以及有机粘着剂,该无机成分与该有机粘着剂的重量比为50-98:2-50;将氧化物薄膜形成于该图案化的阻挡层及该基材上,其中该阻挡层的厚度(D1)与该氧化物薄膜的厚度(D2)比(D1/D2)范围介于5~2000;以及剥除(lifting-off)该阻挡层及该阻挡层上的氧化物薄膜,留下该基材上的氧化物薄膜。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举出优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
【附图说明】
图1~图3为一系列剖面图,显示本发明实施例的氧化物薄膜的图案化制程。
【主要附图标记说明】
100~基材
120~阻挡层
140~氧化物薄膜
140a~图案化氧化物薄膜
【具体实施方式】
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的优点及功效。本发明亦可通过其它不同的实施方式加以施行或应用,本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用,在不悖离本发明所揭示的精神下赋予不同的修饰与变更。
请参见图1,本发明提供一种氧化物薄膜的图案化制程,依照本发明的图案化制程,首先将阻挡层组合物覆盖在基材100上以形成图案化的阻挡层120。阻挡层组合物例如是印制式浆料,可以利用网印或喷涂的方式将印制式浆料涂布在基材100上。
阻挡层组合物可包含重量比约50-98:2-50的无机成分以及有机粘着剂。在一实施例中,阻挡层组合物的固含量可包含约50wt%以上或约50-90wt%的无机成分,形成易剥除的阻挡层。当阻挡层组合物的有机粘着剂含量过高(约>50wt%)时,阻挡层与基材的粘着力过强,尤其是经高温制程处理后,使其难以从基板去除;而无机固含量过高(约>98wt%)时,则会导致印制式浆料不易于基板上成形。在其他实施例中,阻挡层组合物亦可包含其他成分,且无机成分与有机粘着剂的重量比控制在约50-98:2-50的范围。
上述阻挡层组合物中的无机成分可包含一种或一种以上的金属(如铝、银、铜)、金属氧化物(如氧化硅、氧化钛、氧化锡、氧化磷、氧化铝)、或上述的组合。上述有机粘着剂可包括但不限于:乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、羟丙基甲基纤维素、甲基纤维素、羧基甲基纤维素、环氧树脂、丙烯酸树脂或上述材料的混合,且该有机粘着剂可进一步溶于溶剂(例如松油醇)中。在一实施例中,阻挡层组合物包含氧化钛与氧化硅,各成分比例为氧化钛约50~80wt%、氧化硅约18~45wt%、其余为有机粘着剂如乙基纤维素。在另一实施例中,阻挡层组合物为包含无机氧化物与金属粒子的金属浆料,各成分比例为金属粒子约60~70wt%、无机氧化物约15~20wt%、其余为有机粘着剂如环氧树脂。
阻挡层组合物的无机固含量可依照所形成的阻挡层120的厚度进行调整。在一实施例中,当阻挡层120厚度为3~5μm时,阻挡层组合物的无机固含量可控制在约80~98wt%或约95wt%;而当阻挡层120的厚度为约10~15μm时,阻挡层组合物的无机固含量可控制在约50~80wt%或约75wt%。在一实施例中,阻挡层组合物的无机固含量约90~98wt%。
上述阻挡层组合物可利用具有图案的网板或遮罩,经由网印技术或喷涂技术印制于各种基材上,包括但不限于:玻璃、硅晶片、陶瓷片、高分子聚合物、或金属等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210413839.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生长箱
- 下一篇:一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造