[发明专利]一种电池用异质陶瓷材料的封接方法有效
申请号: | 201210405285.8 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102875179A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 张高校;温兆银;吴相伟;张敬超;吴梅芬 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B37/00 | 分类号: | C04B37/00 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 用异质 陶瓷材料 方法 | ||
1.一种电池用异质陶瓷材料的封接方法,其特征在于包括:
原料制备:制备异质陶瓷基被封接材料1和材料2的粉料或浆料;配制包含被封接材料1和材料2的N种封接材料的粉料或浆料,其中所述N种封接材料所包括的被封接材料1和材料2的量分别呈递增和递减的梯度变化,且所述N≥2;
布料成型:分别预成型被封接材料1和材料2得生坯层1和生坯层2;在所述生坯层1上层叠所述N种封接材料以形成封接材料层,再与所述生坯层2一起成型制成素坯体,或者在所述生坯层2上层叠所述N种封接材料以形成封接材料层,再与所述生坯层1一起成型制成素坯体;
烧结:将所述素坯体在一定的温度下高温烧成、从而制得所述异质陶瓷基被封接材料1和材料2并将其封接成一体。
2.根据权利要求1所述的封接方法,其特征在于所述梯度变化是指所述N种封接材料所包括的被封接材料1和材料2的量分别呈等量递增或等量递减。
3.根据权利要求2所述的封接方法,其特征在于所述等量递增和递减的梯度变化是指所述N种封接材料所包括的被封接材料1和材料2的量分别以大于等于5%小于等于35%的变化量等量递增和递减。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的封接方法,其特征在于在所述布料成型工序中,
首先将所述N种封接材料中包含被封接材料1的量为最多的封接材料的粉体或浆料布在生坯层1上,然后根据被封接材料1的量为递减的梯度变化依次将其他封接材料的粉体或浆料分层布在生坯层1上,最后放上生坯层2,成型制得素坯体;或者
首先将所述N封接材料中包含被封接材料2的量为最多的封接材料的粉体或浆料布在生坯层2上,然后根据被封接材料2的量为递减的梯度变化依次将其他封接材料的粉体或浆料分层布在生坯层2上,最后放上生坯层1,成型制得素坯体。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的封接方法,其特征在于通过流延法或干压法层叠所述N种封接材料。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的封接方法,其特征在于,所述异质陶瓷被封接材料1和材料2分别为绝缘陶瓷alpha-Al2O3和电解质陶瓷Na-beta-Al2O3。
7.根据权利要求6所述的封接方法,其特征在于所述电解质陶瓷为Li或Mg元素做稳定剂的Na-beta-Al2O3。
8.根据权利要求6或7所述的封接方法,其特征在于所述素坯体中所述封接材料层的厚度为3~6mm。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的封接方法,其特征在于所述封接材料通过组成渗透法或气相渗透反应法制备。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的封接方法,其特征在于所述烧结过程烧成温度为1400~1700℃保温0.5~5小时。
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