[发明专利]存储器的可靠性测试方法有效
申请号: | 201210405272.0 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102890971A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 钱亮 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 可靠性 测试 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种存储器的可靠性测试方法。
背景技术
存储器为计算机系统的记忆设备,用来存放程序和数据。存储器大致可分为两大类:易失存储器和非易失存储器。易失存储器在系统关闭时立即失去存储在内的数据;它需要持续的电源供应以维持数据。非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据。
对于存储器而言,数据保持能力(Data Retention)、耐久力(Endurance)等是评价存储器性能的参数。在存储器制作完成之后准备出厂之前,通常会通过可靠性测试对存储器的性能进行评价。
在公开号为CN102420017A的中国专利申请中公开了一种闪存的可靠性测试方法,包括:对闪存进行烘焙,使闪存经受高温,并将烘焙之前只读区域中只读数据经校验算法计算后的第一校验值和烘焙后只读区域中只读数据经校验算法计算后的第二校验值进行比较,用于判断闪存的各参数是否符合设计规格。
在所述中国专利申请中,通常在烘培之前的测试中对存储器的擦除操作进行可靠性测试。现有技术在对擦除操作进行可靠性测试时通常难以分辨弱擦除(Weak Erase Failure)的问题,而所述弱擦除是与存储器的耐久力相关的一项参数,如果弱擦除产品未能辨识出,容易将不良品发送至客户,会产生存储器质量差的影响。
如何分辨弱擦除产品以提高可靠性测试的准确性成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种存储器的可靠性测试方法,可对弱擦除存储器进行判断,具有较高的测试准确度。
为了解决上述问题,本发明提供一种存储器的可靠性测试方法,包括对存储器进行第一测试,所述第一测试包括:在存储器内写入数据;对存储器进行第一擦除操作,所述第一擦除操作持续第一时间;对存储器完成第一擦除操作后,判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除;如果所述存储器中的信息实现了有效擦除,则所述存储器为良品;如果所述存储器中的信息未实现有效擦除,对所述存储器继续进行第二擦除操作,所述第二擦除操作持续第二时间;对存储器完成第二擦除操作后,判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除;如果所述存储器中的信息实现了有效擦除,则所述存储器为弱擦除产品;如果所述存储器中的信息未实现有效擦除,则所述存储器为差品。
可选地,所述第一时间与所述第二时间的和与标准擦除时间相同。
可选地,所述第一时间与所述第二时间相同。
可选地,所述第一时间与所述第二时间不同。
可选地,在判断所述存储器为弱擦除产品之后,对所述存储器设置标识。
可选地,所述对所述存储器设置标识的步骤包括:在存储器的扇区内写入标示性的数据。
可选地,在对存储器进行第一测试之后还包括:对存储器进行老化处理,并对老化后的存储器进行第二测试。
可选地,在第二测试中,如果从存储器获取到所述标识,对所述存储器进行耐久力评价。
可选地,所述对存储器进行老化处理的步骤包括:使存储器在250℃的温度条件下持续72小时和初步的耐久力评价。
可选地,所述存储器为非易失存储器。
可选地,存所述存储器为闪存。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
通过第一擦除操作和第二擦除操作在对存储器的擦除进行可靠性测试,并分别在两次次擦除操作之后均对存储器是否有效完成了数据擦除进行判断,对于如果经过第一擦除操作即完成数据擦除,则存储器为良品,如果经过两次擦除(第一擦除操作和第二擦除操作)可以完成数据擦除,则存储器为弱擦除产品,如果经过两次擦除(第一擦除操作和第二擦除操作)仍没有实现数据有效擦除,则存储器为差品,本发明实现了对弱擦除产品的辨识,对存储器的判定更加细致、准确性更高。
附图说明
图1是本发明存储器的可靠性测试方法一实施方式的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
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