[发明专利]掩膜板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及微细加工技术领域，特别是涉及一种掩膜板及其制备方法。

背景技术

随着生活水平的提高，人们对高清晰度、大尺寸显示设备的需求越来越高。其中，具有高分辨率的FED（field emission display，场发射显示器）平板显示器需求也逐渐增大。场发射显示器是使发射电子的“电子枪”超小型化，每个像素都对应一个（或多个）电子枪和荧光体，做成一体化结构，并将这种一体化结构按照矩阵排列而构成的平板显示器。密集排列的电子发射体作为冷阴极电子源是场发射光源的重要组成部分，其电子发射效率直接影响场发射光源的发光效率，而电子发射体的电子发射效率直接受其生长密度影响。因此，制备生长密度可控的电子发射体是制备高效场发射光源的重要保证。

光刻是制备生长密度可控的电子发射体必不可少的一个环节，光刻中需要利用掩膜板进行曝光。在小尺寸、低分辨率的设备的制备过程中使用的掩膜板，一般使用对铁镍合金材料进行刻蚀，或者电铸镍-铁合金的方式进行制造，但这种方法制备的掩膜板在大尺寸、高分辨率的设备的制作过程中不太适用。

传统的制备场发射光源冷阴极采用的掩膜板一般是在高透过率的石英玻璃衬底上蒸镀铬金属层，再对铬金属层进行刻蚀而得到。因此，传统的掩膜板的衬底的材质为透明材质，在一定程度上限制了衬底材质的选择。

发明内容

基于此，有必要提供一种衬底材质选择性大的掩膜板及其制备方法。

一种掩膜板，包括衬底和沉积在所述衬底的一侧的薄膜层；

所述衬底上设置有通孔，所述薄膜层与所述通孔对应的区域设置有掩膜图案，所述薄膜层的材质为金属或金属氧化物。

在一个实施例中，所述衬底的材质为金属或金属氧化物。

在一个实施例中，所述衬底的材质为钨钢、铬钢、氧化铁或氧化铬。

在一个实施例中，所述衬底的材质和所述薄膜层的材质相同。

一种掩膜板的制备方法，包括以下步骤：

提供衬底，并在所述衬底上形成通孔；

在所述通孔内填充金属，接着在所述衬底的一侧沉积金属或金属氧化物形成薄膜层；

在所述薄膜层与所述通孔对应的区域刻蚀出掩膜图案，并去除填充的所述金属，得到所述掩膜板。

在一个实施例中，所述填充在所述通孔内的金属为Mg、Al、Zn、Sn和Pb中的至少一种。

在一个实施例中，还包括在所述通孔内填充金属后，对填充了金属的衬底进行抛光的操作。

在一个实施例中，通过磁控溅射法、真空蒸镀法或化学气相沉积法在所述衬底的一侧沉积金属或金属氧化物形成薄膜层。

在一个实施例中，所述刻蚀出掩膜图案的方法为为X射线刻蚀法或紫外线刻蚀法。

在一个实施例中，所述去除填充的金属的方法为将刻蚀了掩膜图案的衬底浸没在酸性溶液中并加热，所述酸性溶液不与所述薄膜层和所述衬底反应，且所述酸性溶液可以溶解所述通孔内的金属。

上述掩膜板包括衬底和沉积在衬底一侧的薄膜层，衬底上设置有通孔，并且薄膜层与所述通孔对应的区域设置有掩膜图案，衬底的材质为金属或金属氧化物。和传统的掩膜板相比，这种掩膜板的衬底的材质不局限于透明材质，而是不透明材质，消除了传统的掩膜板对衬底的材质选择的限制。

附图说明

图1为一实施方式的掩膜板的制备方法的流程图；

图2为实施例1制备掩膜板的工艺流程图；

图3为实施例2制备的掩膜板的结构示意图；

图4为实施例3制备的掩膜板的结构示意图；

图5为实施例4制备的掩膜板的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

一实施方式的掩膜板，包括衬底和沉积在衬底一侧的薄膜层。

衬底上设置有通孔，薄膜层与通孔对应的区域设置有掩膜图案。

薄膜层的材质为金属或金属氧化物。具体的，薄膜层的材质可以为钨、铬、氧化铁或氧化铬。

衬底的材质可以为金属或金属氧化物。具体的，衬底的材质可以为钨钢、铬钢、氧化铁或氧化铬。