[发明专利]晶片粘合方法有效
申请号: | 201210396750.6 | 申请日: | 2009-10-22 |
公开(公告)号: | CN103021807A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 洪文斌;白东顺;T.D.弗莱;R.普利吉达 | 申请(专利权)人: | 布鲁尔科技公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李连涛;林森 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 粘合 方法 | ||
1.晶片粘合方法,该方法包括:
将粘合组合物通过旋涂施加到第一基片或第二基片之一以形成粘合层,所述层为由相同组合物形成的在其厚度上均匀的材料;和
将该第一基片和第二基片通过所述粘合层粘合在一起。
2.权利要求1所述的方法,其中该第一基片为具有包含形貌特征的活性表面的活性晶片,所述粘合层施加于该晶片上。
3.权利要求2所述的方法,其中该粘合组合物流入所述形貌特征之中及流到所述形貌特征之上。
4.权利要求2所述的方法,其中该粘合层在该活性表面的所述形貌上形成均匀层。
5.权利要求1所述的方法,其中施加该粘合层,使得该粘合层的厚度T横跨该第二基片的长度变化小于约20%,优选小于约10%,更优选小于约5%,甚至更优选小于约2%,最优选小于约1%。
6.权利要求1所述的方法,其中该粘合层通过旋涂施加。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于布鲁尔科技公司,未经布鲁尔科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210396750.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多级旋风分离去石装置
- 下一篇:一种无固封剂式顶部电磁振打器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造