[发明专利]高灵敏温控厚膜混合集成电路的集成方法

权利要求书

1. 一种高灵敏温控厚膜混合集成电路的集成方法，其特征在于该方法采用厚膜热敏电阻与温控器件主芯片一体化三维混合集成的方式来实现，厚膜热敏电阻集成于温控器件主芯片的正下方，形状及大小可随温控器件主芯片的形状及大小自行设定，具体方法包括以下步骤：

第一步 先采用丝网印刷的方法，将选定的电阻厚膜浆料和金属厚膜浆料按设计的掩模图形，印刷到氮化铝陶瓷基片上，分别经高温烧结和电阻修调，形成所需的厚膜电阻、金属导带、金属键合区；

第二步，再采用丝网印刷的方法，将选定的热敏电阻厚膜浆料按设计的掩模图形，印刷到氮化铝陶瓷基片上，经高温烧结和电阻修调，形成所需形状和大小的厚膜热敏电阻；

第三步，再用同样的方法在热敏电阻厚膜上形成厚膜绝缘介质层及芯片粘贴所需的厚膜金属化层；

第四步，采用常规混合集成电路组装工艺，将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、有源或无源元器件直接装贴在厚膜基片上；

 第五步，采用键合丝进行键合，完成整个电器连接；

 第六步，在特定的气氛中将管基和管帽进行密封，即得到所需高灵敏温控厚膜混合集成电路器件。

2. 如权利要求1所述的集成方法，其特征在于第一步中，所述电阻厚膜浆料是由电阻功能材料、玻璃粘结剂、有机溶剂、改性剂调配而成的；所述金属厚膜浆料是由导体功能材料、玻璃粘结剂、有机溶剂、改性剂调配而成的；所述高温烧结控制的温度为600℃～1050℃；所述电阻修调是激光调阻。

3. 如权利要求1所述的集成方法，其特征在于第二步中，所述热敏电阻厚膜浆料是由热阻敏感功能材料、玻璃粘结剂、有机溶剂、改性剂调配而成的； 所述高温烧结控制的温度为600℃～1050℃；所述电阻修调是激光调阻。

4. 如权利要求1所述的集成方法，其特征在于第三步中，所述厚膜绝缘介质层是用陶瓷介质浆料印刷的，所述芯片粘贴所需的厚膜金属化层是用   钯-金厚膜浆料印刷的。

5. 如权利要求1所述的集成方法，其特征在于第四步中，所述有源或无源元器件是半导体裸芯片、经封装后的表贴式元器件。

6. 如权利要求1所述的集成方法，其特征在于第五步中，所述键合丝是金丝或硅铝丝。

7. 如权利要求1所述的集成方法，其特征在于第六步中，所述特定的气氛是高真空或高纯氮气或氩气。