[发明专利]一种NFC设备用薄膜材料及其制备方法与应用

说明书

技术领域

本发明涉及抗电磁干扰材料领域，尤其涉及一种NFC设备用薄膜材料及其制备方法与应用。

背景技术

近年来，随着射频识别技术的不断发展，近场通信（近场通信的英文全称是Near Field Communication，通常简写为NFC）技术成为异军突起的新兴热门技术。近场通信技术（即NFC技术）又称为近距离无线通信技术，是一种短距离的非接触式识别与互联技术，允许电子设备之间进行非接触式点对点数据传输，其使用距离小于或等于0.1米，主要应用在数码相机、电脑、手机、PDA等电子设备上。由于NFC技术比传统的射频识别技术增加了数据双向传送功能，能够实现的相互认证、动态加密和一次性钥匙，因此NFC技术具有天然的高安全性。正是因为NFC技术具有高安全性的保证，所以应用了NFC技术的电子设备（通常简称为NFC设备）被广泛应用在移动支付、电子票证、智能媒体以及交换和传输数据等领域。

目前，最为常见的NFC设备当属NFC手机，因此本申请文件中以NFC手机为例进行说明，但这并不构成对本申请的限制。NFC手机通过内置NFC芯片（NFC芯片是一种采用了NFC技术的电子元件）来实现NFC功能；NFC芯片通过NFC手机的天线传递感应交变电磁信号，进而实现数据读写操作。在现有技术中，NFC手机的内部空间十分有限，因此NFC手机的天线周围不可避免地设置了电池外壳、线路板、金属背板等多种金属结构件；由于这些金属结构件并不具备抗电磁干扰的能力，因此在感应交变电磁信号通过天线传递的过程中，位于天线周围的金属结构件会使感应交变电磁信号产生涡流损耗，进而会导致NFC芯片发生数据读写失败故障；例如：如图1所示，某现有NFC手机的信号传输原理示意图，在感应交变电磁信号α通过天线1传递的过程中，天线1两端所发出的感应交变电磁信号α会传递到金属背板2，由于金属背板2并不具备抗电磁干扰的能力，因此感应交变电磁信号α会进入金属背板2内部，并导致涡流损耗。

发明内容

本发明实施例提供了一种N FC设备用薄膜材料及其制备方法与应用，以便于避免感应交变电磁信号受到金属结构件的影响而产生涡流损耗，进而提高了NFC芯片读写数据的准确性、灵敏性和读写距离。

本发明实施例是通过以下的技术方案来实现的：

一种NFC设备用薄膜材料，以聚对苯二甲酸类PET塑料膜和片形铁硅基合金粉体为基材复合而成；

所述片形铁硅基合金粉体涂覆于PET塑料膜的表面，并且片形铁硅基合金粉体平行于PET塑料膜的表面。

优选地，相应的片形铁硅基合金粉体为铁硅铝片形粉体、铁硅铬片形粉体或铁硅铝铬片形粉体中的至少一种；

所述铁硅铝片形粉体满足以下条件：粉体长轴方向尺寸为20～200μm，粉体厚度≤2μm，粉体径厚比≥150，粉体矫顽力Hc≤8Oe；

所述铁硅铬片形粉体满足以下条件：粉体长轴方向尺寸为20～150μm，粉体厚度≤2μm，粉体径厚比≥150，粉体矫顽力Hc≤7.5Oe；

所述铁硅铝铬片形粉体满足以下条件：粉体长轴方向尺寸为20～200μm，粉体厚度≤2μm，粉体径厚比≥150，粉体矫顽力Hc≤7.8Oe。

优选地，相应的铁硅铝片形粉体由75～90重量份的铁、5～15重量份的硅、5～10重量份的铝以及0～1重量份的杂质组成；

相应的铁硅铬片形粉体由80～90重量份的铁、5～15重量份的硅、1～5重量份的铬以及0～1重量份的杂质组成；

相应的铁硅铝铬片形粉体由60～85重量份的铁、5～15重量份的硅、5～10重量份的铝、1～5重量份的铬以及0～1重量份的杂质组成；

其中，所述的杂质为镁、镍、钴、锑、锰中的至少一种。

优选地，该薄膜材料的厚度为0.05～1.0mm；其中，PET塑料膜的厚度为0.005～0.1mm，PET塑料膜的拉伸强度大于5MPa。

一种NFC设备用薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：

步骤A：制备片形铁硅基合金粉体；所述的片形铁硅基合金粉体为铁硅铝片形粉体、铁硅铬片形粉体或铁硅铝铬片形粉体中的至少一种；

所述铁硅铝片形粉体满足以下条件：粉体长轴方向尺寸为20～200μm，粉体厚度≤2μm，粉体径厚比≥150，粉体矫顽力Hc≤8Oe；

所述铁硅铬片形粉体满足以下条件：粉体长轴方向尺寸为20～150μm，粉体厚度≤2μm，粉体径厚比≥150，粉体矫顽力Hc≤7.5Oe；