[发明专利]一种NFC设备用薄膜材料及其制备方法与应用有效
申请号: | 201210387875.2 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN102903425A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 陶振声;范学伟;高磊;邹科;迟百强;吕宝顺;廖有良;连江滨;王倩 | 申请(专利权)人: | 北矿磁材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00;H05K9/00 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
地址: | 100070 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nfc 备用 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种NFC设备用薄膜材料,其特征在于,以聚对苯二甲酸类PET塑料膜和片形铁硅基合金粉体为基材复合而成;
所述片形铁硅基合金粉体涂覆于PET塑料膜的表面,并且片形铁硅基合金粉体平行于PET塑料膜的表面。
2.根据权利要求1所述的NFC设备用薄膜材料,其特征在于,所述的片形铁硅基合金粉体为铁硅铝片形粉体、铁硅铬片形粉体或铁硅铝铬片形粉体中的至少一种;
所述铁硅铝片形粉体满足以下条件:粉体长轴方向尺寸为20~200μm,粉体厚度≤2μm,粉体径厚比≥150,粉体矫顽力Hc≤8Oe;
所述铁硅铬片形粉体满足以下条件:粉体长轴方向尺寸为20~150μm,粉体厚度≤2μm,粉体径厚比≥150,粉体矫顽力Hc≤7.5Oe;
所述铁硅铝铬片形粉体满足以下条件:粉体长轴方向尺寸为20~200μm,粉体厚度≤2μm,粉体径厚比≥150,粉体矫顽力Hc≤7.8Oe。
3.根据权利要求2所述的NFC设备用薄膜材料,其特征在于,
所述的铁硅铝片形粉体由75~90重量份的铁、5~15重量份的硅、5~10重量份的铝以及0~1重量份的杂质组成;
所述的铁硅铬片形粉体由80~90重量份的铁、5~15重量份的硅、1~5重量份的铬以及0~1重量份的杂质组成;
所述的铁硅铝铬片形粉体由60~85重量份的铁、5~15重量份的硅、5~10重量份的铝、1~5重量份的铬以及0~1重量份的杂质组成;
其中,所述的杂质为镁、镍、钴、锑、锰中的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的NFC设备用薄膜材料,其特征在于,该薄膜材料的厚度为0.05~1.0mm;其中,PET塑料膜的厚度为0.005~0.1mm,PET塑料膜的拉伸强度大于5MPa。
5.一种NFC设备用薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤A:制备片形铁硅基合金粉体;所述的片形铁硅基合金粉体为铁硅铝片形粉体、铁硅铬片形粉体或铁硅铝铬片形粉体中的至少一种;
所述铁硅铝片形粉体满足以下条件:粉体长轴方向尺寸为20~200μm,粉体厚度≤2μm,粉体径厚比≥150,粉体矫顽力Hc≤8Oe;
所述铁硅铬片形粉体满足以下条件:粉体长轴方向尺寸为20~150μm,粉体厚度≤2μm,粉体径厚比≥150,粉体矫顽力Hc≤7.5Oe;
所述铁硅铝铬片形粉体满足以下条件:粉体长轴方向尺寸为20~200μm,粉体厚度≤2μm,粉体径厚比≥150,粉体矫顽力Hc≤7.8Oe;
步骤B:将步骤A得到的片形铁硅基合金粉体与偶联剂混合,并充分搅拌后烘干,从而获得表面包覆偶联剂的片形铁硅基合金粉体;所述的偶联剂为硅烷偶联剂或钛酸偶联剂;偶联剂与片形铁硅基合金粉体的重量比为0.1~3:100;
步骤C:将步骤B得到的片形铁硅基合金粉体与胶粘剂充分混合,并涂覆于厚度为0.005~0.1mm、拉伸强度大于5MPa的聚对苯二甲酸类PET塑料膜上,以制得厚度为0.05~1.0mm的铁基合金柔性薄膜;所述的胶粘剂为聚氨酯胶粘剂、环氧树脂胶粘剂或丙烯酸胶粘剂中的至少一种;胶粘剂与片形铁硅基合金粉体的重量比为5~20:100;
步骤D:对步骤C制得的铁基合金柔性薄膜立即施加一个单方向均匀磁场;该磁场的方向与铁基合金柔性薄膜平行,该磁场的强度为100~1000Gs;
步骤E:对步骤D处理后的铁基合金柔性薄膜进行密实化处理,从而获得NFC设备用薄膜材料。
6.根据权利要求5所述的NFC设备用薄膜材料的制备方法,其特征在于,
所述的铁硅铝片形粉体由75~90重量份的铁、5~15重量份的硅、5~10重量份的铝以及0~1重量份的杂质组成;
所述的铁硅铬片形粉体由80~90重量份的铁、5~15重量份的硅、1~5重量份的铬以及0~1重量份的杂质组成;
所述的铁硅铝铬片形粉体由60~85重量份的铁、5~15重量份的硅、5~10重量份的铝、1~5重量份的铬以及0~1重量份的杂质组成;
其中,所述的杂质为镁、镍、钴、锑、锰中的至少一种。
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