[发明专利]堆叠结构、有机半导体器件、布线、显示器、以及制造有机半导体器件的方法无效

专利信息
申请号: 201210384438.5 申请日: 2012-10-11
公开(公告)号: CN103066213A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 秋山龙人 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;H01L27/02;H01L51/56
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 王安武
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 堆叠 结构 有机 半导体器件 布线 显示器 以及 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及堆叠结构,其在有机层上具有保护层,并且可应用于晶体管以及布线等。本发明还涉及分别上述堆叠结构的有机半导体器件、布线以及显示器,并涉及制造有机半导体器件的方法。 

背景技术

使用有机半导体材料的有机晶体管已经引起注意,因为这些晶体管能够以低成本高柔性生产。例如,当有机晶体管被分别用作驱动器件并且布线也分别由有机导体构成时,能够增大整个显示器的柔性。 

这种有机晶体管的有机半导体层例如能够通过涂布或打印来形成。利用墨水来完成涂布及打印,在墨水中有机半导体材料被溶解在有机溶剂内。允许以低温来方便地执行涂布及打印,已经对此进行了详细研究。 

允许如上所述通过与有机溶剂混合来方便地使用有机半导体材料,但存在其化学抗蚀性差的缺陷。例如,当利用有机晶体管来制造显示器时,在形成有机半导体层之后形成绝缘层以及电极。在形成绝缘层以及电极的过程中,使用有机液体或气体。该有机液体或气体会导致有机半导体层的劣化,导致有机晶体管的性能的劣化。为了防止制造过程中的上述劣化,在有机半导体层上设置保护层。例如如日本未审查专利申请公开号2008-4817中所述,已经建议通过使得该保护层包含颗粒来改进屏障特性。 

发明内容

但是,当通过涂布或打印来形成保护膜时,在如此包含颗粒的保护层中,颗粒被未被均匀地混合在包含绝缘材料以及溶剂的墨水中。换言之,颗粒处于低分散状态。这种具有较差均匀性的保护层存在屏障特性劣化的 缺陷。 

期望提供一种堆叠结构,其中通过将颗粒均匀地分散在保护层内来改进屏障特性。还期望提供一种有机半导体器件、布线以及显示器,其分别具有堆叠结构,并提供制造有机半导体器件的方法。 

根据本发明的实施例,提供了一种堆叠结构,包括:有机层,其包括导体或半导体;保护层,其由绝缘材料构造,并且覆盖顶表面的至少一部分或所述有机层的下表面;以及多个颗粒,其外部分别被亲合力层覆盖,所述亲合力层具有与所述绝缘材料的亲合力,所述多个颗粒在所述保护层中分散。 

根据本发明的实施例,提供了一种有机半导体器件,包括堆叠结构,所述堆叠结构包括:有机层,其包括半导体;保护层,其由绝缘材料构造,并且覆盖顶表面的至少一部分或所述有机层的下表面;以及多个颗粒,其外部分别被亲合力层覆盖,所述亲合力层具有与所述绝缘材料的亲合力,所述多个颗粒在所述保护层中分散。 

根据本发明的实施例,提供了一种布线,其包括堆叠结构,所述堆叠结构包括:有机层,其包括导体;保护层,其由绝缘材料构造,并且覆盖顶表面的至少一部分或所述有机层的下表面;以及多个颗粒,其外部分别被亲合力层覆盖,所述亲合力层具有与所述绝缘材料的亲合力,所述多个颗粒在所述保护层中分散。 

根据本发明的实施例,提供了一种显示器,其包括多个像素以及驱动所述多个像素的有机半导体器件,所述有机半导体器件包括:栅极电极;有机层,其面对所述栅极电极,并且包括半导体;源极-漏极,其电连接至所述有机层;保护层,其由绝缘材料构造,并且覆盖所述有机层;以及多个颗粒,其外部分别被亲合力层覆盖,所述亲合力层具有与所述绝缘材料的亲合力,所述多个颗粒在所述保护层中分散。 

根据本发明的实施例,提供了一种方法,用于制造有机半导体器件,所述方法包括:形成包括半导体的有机层;通过将绝缘材料以及颗粒混合进入溶剂来制备墨水;并且通过利用所述墨水来覆盖所述有机层来形成保护层,其中,各个所述颗粒的外部被亲合力层覆盖,所述亲合力层具有与 所述绝缘材料的亲合力。 

在根据本发明的实施例的堆叠结构、有机半导体器件、布线、显示器以及制造有机半导体器件的方法中,亲合力层被设置在各颗粒的外部。当形成保护层时,这增加了各颗粒与绝缘材料以及溶剂的亲合力。因此,颗粒被均匀地分散。 

根据本发明的实施例中的堆叠结构、有机半导体器件、布线、显示器以及制造有机半导体器件,亲合力层被设置在各颗粒的外部。由此允许颗粒在保护层中均匀分散,由此允许改进屏障特性。因此,防止了在制造过程中有机层的劣化,由此改进了可靠性。 

应当理解以上总体描述以及以下详细描述均为示例性质,其仅意在提供对本发明的进一步说明。 

附图说明

提供了附图以便对本发明更好的理解,其被结合入说明书,并构成其一部分。附图示出实施例,并且与说明书一起用于说明本发明的原理。 

图1是示出根据本发明的实施例的基本结构的横截面视图。 

图2是示出根据本发明的第一实施例的有机TFT(薄膜晶体管)的构造的横截面视图; 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210384438.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top