[发明专利]电极试片及感测试片及其制造方法及感测系统有效
申请号: | 201210384324.0 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN103575782B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 黄英哲;朱清渊;黄兰香 | 申请(专利权)人: | 五鼎生物技术股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/26 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 冯志云,吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 试片 测试 及其 制造 方法 系统 | ||
1.一种电极试片,其特征在于,包含:
一第一基板;
一第一电极组,设置于该第一基板;
一第一绝缘层,包含一第一凹槽,该第一绝缘层设置于该第一电极组;
一第二基板,设置于该第一绝缘层并包含一取样口及一孔洞;
一第二电极组,设置于该第二基板且不覆盖该孔洞;以及
一第二绝缘层,包含一第二凹槽,其中该孔洞垂直连通该第一凹槽及该第二凹槽。
2.如权利要求1所述的电极试片,其特征在于,进一步包含一上盖,该上盖设置于该第二绝缘层,且该上盖含有一通孔,该通孔经由该第二凹槽连通该孔洞。
3.如权利要求2所述的电极试片,其特征在于,该第二凹槽设置于该上盖及该第二基板之间而形成一第二反应区,该第一凹槽设置于该第一基板及该第二基板之间而形成一第一反应区。
4.如权利要求3所述的电极试片,其特征在于,该第一反应区具有一第一深度,该第二反应区具有一第二深度,该取样口具有一第三深度,其中该第一深度或该第二深度长于该第三深度。
5.如权利要求4所述的电极试片,其特征在于,该第一反应区及该第二反应区容置相同来源的一检体,且该第一深度及该第二深度建构供该第一反应区的该检体与该第二反应区的该检体分隔开。
6.如权利要求3所述的电极试片,其特征在于,该第一反应区位于该第一凹槽的一开口口径等于该取样口的口径,且该第二反应区位于该第二凹槽的一开口口径等于该取样口的口径。
7.如权利要求3所述的电极试片,其特征在于,该第一反应区位于该第一凹槽的一开口口径不等于该取样口的口径,该第二反应区位于该第二凹槽的一开口口径不等于该取样口的口径。
8.如权利要求1所述的电极试片,其特征在于,该第二基板邻近该取样口的一端形成一疏水性表面。
9.如权利要求1所述的电极试片,其特征在于,该第一绝缘层暴露远离该第一凹槽的该第一电极组的一接头区,且该第二绝缘层暴露远离该第二凹槽的该第二电极组的一接头区,且该第一电极组的该接头区不重叠于该第二电极组的该接头区。
10.如权利要求1所述的电极试片,其特征在于,该第二基板于该取样口的一端形成锥型,且该取样口设置于该锥顶处。
11.如权利要求1所述的电极试片,其特征在于,该取样口设置于该第二基板的一边角,且该第一凹槽的纵轴与该第一绝缘层的纵轴之间有一夹角。
12.一种感测试片,其特征在于,包含:
一第一反应片,包含:
一基板;
一第一电极层,设置于该基板;及
一第一绝缘层,包含一第一端且设置于该第一电极层,其中该第一绝缘层的该第一端内凹一第一深度以形成一第一反应区;
一第二反应片,包含:
一第二电极层,设置于该第一绝缘层;及
一第二绝缘层,包含一第一端且设置于该第二电极层,其中该第二绝缘层的该第一端内凹一第二深度以形成一第二反应区;以及
一通气孔,贯穿该第二绝缘层、该第二电极层及该第一绝缘层而连通该第一反应区及该第二反应区。
13.如权利要求12所述的感测试片,其特征在于,该第一绝缘层的邻近该第一电极层的该第一端内凹以形成该第一反应区,而该第一绝缘层的远离该基板的该第一端内凹一第三深度以形成一取样口。
14.如权利要求13所述的感测试片,其特征在于,该第一深度或该第二深度长于该第三深度。
15.如权利要求13所述的感测试片,其特征在于,该第一反应区及该第二反应区容置相同来源的一检体,且该第一深度及该第二深度建构供该第一反应区的该检体与该第二反应区的该检体分隔开。
16.如权利要求13所述的感测试片,其特征在于,该第一反应区位于该第一绝缘层的该第一端的一开口口径不等于该取样口的口径。
17.如权利要求13所述的感测试片,其特征在于,该第二反应区位于该第二绝缘层的该第一端的一开口口径不等于该取样口的口径。
18.如权利要求13所述的感测试片,其特征在于,该第一绝缘层的远离该基板的该第一端形成一疏水性表面。
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