[发明专利]一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构

权利要求书

1.一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构，其特征在于，包括：

一衬底层(1)，该衬底用于支撑半导体激光器各层外延材料，并作为激光器的N面电极接触层，衬底是N型砷化镓材料；

一缓冲层(2)，该缓冲层制作在衬底(1)上，为N-砷化镓材料；

一N型包覆层(3)，该N型包覆层制作在缓冲层(2)上，为N型铝镓砷材料；

一下波导层(4)，该下波导层制作在N型包覆层(3)上，为铝镓砷材料；

一有源区(5)，该有源区制作在下波导层(4)上，为单量子阱层，为镓砷磷材料；

一上波导层(6)，该上波导层制作在有源区(5)上，为铝镓砷材料；

一P型包覆层(7)，该P型包覆层制作在上波导层(6)上，为P型铝镓砷材料；

一过渡层(8)，该过渡层制作在P型包覆层(7)上，为P型砷化镓材料；

一P型接触层(9)，该P型接触层制作在过渡层(8)上，为P型砷化镓材料；

一脊型台面(10)，该脊型台面制作在管芯中心；

一电流限制沟道(11)，该电流限制沟道制作在脊型台面的两侧；

一分离沟道(12)，该分离沟道位于管芯的左右两侧。

2.根据权利要求1所述的适用于倒焊装的半导体激光器结构，其特征在于，电流限制沟道(11)的深度在P型接触层(9)之下，沟道内电阻大于脊型台面，容易限制注入电流的注入路径，提高器件的电光转换效率。

3.根据权利要求1所述的适用于倒焊装的半导体激光器结构，其特征在于，分离沟道(12)的深度在缓冲层(2)之下，沟道与台面的台阶容易阻止焊料的攀爬，避免因焊料爬升引起的短路现象，从而提高器件的可靠性。