[发明专利]抗干扰与过压、过流保护片式元件及其制造方法

权利要求书

1.一种抗干扰与过压、过流保护片式元件，其特征在于，包括钛酸锶陶瓷基片、分别形成于所述钛酸锶陶瓷基片正表面与反表面的正面电极与背面电极、形成于所述钛酸锶陶瓷基片正表面的熔断体金属层、形成于所述熔断体金属层上的保护层及形成于所述钛酸锶陶瓷基片的四个侧面的端头电极，

所述正面电极的数量至少为四个，分别为第一正面电极、第二正面电极、第三正面电极及第四正面电极，所述钛酸锶陶瓷基片的其中两个相对的侧面各设有至少两个端头电极，分别为第一端头电极与第二端头电极、第三端头电极与第四端头电极，钛酸锶陶瓷基片的另外两个侧面中至少一个侧面的端头电极与背面电极相连，所述熔断体金属层包括相互电绝缘的第一熔断体金属层与第二熔断体金属层，

所述第一正面电极、第二正面电极、第三正面电极及第四正面电极分别与所述第一端头电极、第二端头电极、第三端头电极及第四端头电极相连，所述第一正面电极与第三正面电极通过第一熔断体金属层相连，第二正面电极与第四正面电极通过第二熔断体金属层相连。

2.根据权利要求1所述的抗干扰与过压、过流保护片式元件，其特征在于，所述正面电极包括设于所述钛酸锶陶瓷基片上的第一层正面电极与设于所述第一层正面电极上的第二层正面电极。

3.根据权利要求1或2所述的抗干扰与过压、过流保护片式元件，其特征在于，所述钛酸锶陶瓷基片的配方按质量分数包括以下组分：30~55%的TiO₂、16~32%的SrCO₃、12~20%的BaCO₃、16~20%的CaCO₃、0.3~0.5%的CuO、0.1~0.5%的Nb₂O₅、0.1~0.2%的La₂O₃、0.3~1.0%的MnCO₃。

4.根据权利要求2所述的抗干扰与过压、过流保护片式元件，其特征在于，所述第一层正面电极的配方按质量百分比包括以下组分：25~35%的分子银、15~22%的锡粉、8~12%的锌粉、8~12%的玻璃粉、10~14%的树脂以及16~25%的混合溶剂，所述混合溶剂由松油醇、乙二醇丁醚及乙二醇乙醚按质量比例1:1:1混合而成。

5.根据权利要求2所述的抗干扰与过压、过流保护片式元件，其特征在于，所述第二层正面电极、背面电极及端头电极的配方按质量百分比包括以下组分：50~69%的银片、18~26%的银粉、0.5~1.5%的玻璃粉、1.5~2.5%的树脂以及10~20%的混合溶剂，所述混合溶剂由松油醇、乙二醇丁醚及乙二醇乙醚按质量比例1:1：1混合而成。

6.根据权利要求1或2所述的抗干扰与过压、过流保护片式元件，其特征在于，所述熔断体金属层的配方按质量百分比包括以下组分：50~65%的银粉、5~10%的氧化银和二氧化钌混合物、0~10%的钯金属粉、0～5%的铂金属粉、1~5%的玻璃粉、10~18%的乙基纤维素、15~25%的松油醇溶剂，其中所述氧化银和二氧化钌混合物中氧化银和二氧化钌的质量比例为10比1。

7.根据权利要求6所述的抗干扰与过压、过流保护片式元件，其特征在于，所述熔断体金属层的厚度为5.9~6.1微米，宽度为1.1~1.3毫米。

8.根据权利要求1或2所述的抗干扰与过压、过流保护片式元件，其特征在于，所述保护层的配方按质量百分比包括以下组分：50~70%的氧化铋、12~20%的氧化硼、5~10%的氧化锌、5~10%的氧化硅、2~10%的氧化钛。