[发明专利]一种带荧光粉层的白光LED器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210376488.9 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN102867901A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 黄智聪;许朝军;周玉刚;姜志荣;赖燃兴;林志平 申请(专利权)人: 晶科电子(广州)有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/44;H01L33/00
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 罗毅萍
地址: 511458 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 荧光粉 白光 led 器件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种带荧光粉层的白光LED器件,包括一LED芯片,其特征在于:

在所述LED 芯片的出光面设置有一钝化层(404),所述钝化层(404)由荧光粉与胶体混合制备,所述胶体为可固化的透明绝缘介质液态胶体。

2.根据权利要求1所述的白光LED器件,其特征在于:

所述LED芯片为正装结构的LED芯片,该LED芯片包括外延衬底(300)、N型氮化镓层(301)、有源层(302)、P型氮化镓层(303)、透明导电层(401)、P电极(402)、N电极(403)以及钝化层(404);

所述N型氮化镓层(301)设置在所述外延衬底(300)上,该N型氮化镓层(301)的上表面呈现高低不同的两个平台面;

所述有源层(302)设置在所述N型氮化镓层(301)的高平台面上;

所述P型氮化镓层(303)设置在所述有源层(302)上;

所述透明导电层(401)设置在所述P型氮化镓层(303)上;

所述P电极(402)设置在所述透明导电层(401)上;

所述N电极(403)设置在所述N型氮化镓层(301)的低平台面上;

所述钝化层(404)设置在所述LED芯片的出光面,具体是:所述钝化层(404)设置在所述P电极(402)和N电极(403)之间的Z形台面上。

3.根据权利要求1所述的白光LED器件,其特征在于:

所述LED芯片为垂直结构的LED芯片,该LED芯片包括N型氮化镓层(301)、有源层(302)、P型氮化镓层(303)、金属基底(304)、透明导电层(401)、N电极(403)、钝化层(404)、以及金属反射层(407);

所述金属反射层(407)设置在所述金属基底(304)上;

所述P型氮化镓层(303)设置在所述金属反射层(407)上;

所述有源层(302)设置在所述P型氮化镓层(303)上;

所述N型氮化镓层(301)设置在所述有源层(302)上;

所述透明导电层(401)设置在所述N型氮化镓层(301)上;

所述N电极(403)设置在所述透明导电层(401)上;

所述钝化层(404)设置在所述LED芯片的出光面,具体是:所述钝化层(404)设置在所述透明导电层(401)上除所述N电极(403)覆盖区域以外的位置。

4.根据权利要求1-3所述的白光LED器件,其特征在于:

所述可固化的透明绝缘介质液态胶体为旋涂式玻璃(Spin on glass,SOG)或者聚酰亚胺(Polyimide,PI)。

5.根据权利要求1-3所述的白光LED器件,其特征在于:

所述荧光粉可以为黄色荧光粉、红色荧光粉、绿色荧光粉的其中一种或多种荧光粉混合的混合物。

6.根据权利要求1-3所述的白光LED器件,其特征在于:

在所述钝化层(404)上光刻有提高LED出光性能的芯片图形(405)。

7.根据权利要求1-3所述的白光LED器件,其特征在于:

在所述钝化层(404)上包裹设置有保护层(406),所述保护层(406)为二氧化硅层或氮化硅层。

8.一种带荧光粉层的白光LED器件的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)、在外延衬底(300)上依次外延生长N型氮化镓层(301)、有源层(302)、以及P型氮化镓层(303);

(2)、通过蚀刻P型氮化镓层(303)、有源层(302)、以及N型氮化镓层(301),部分露出N型氮化镓层(301);

(3)、在所述P型氮化镓层(303)上制作透明导电层(401);

(4)、将混合有荧光粉的透明绝缘介质液态胶体涂覆在所述透明导电层(401)和露出部分的N型氮化镓层(301)上,并经过固化形成Z型钝化层(404);

(5)、通过光刻在P型氮化镓层(303)上露出P电极连接区域,在所述露出部分的N型氮化镓层(301)上露出N电极连接区域;

(6)、在所述P电极连接区域上连接P电极(402),在所述N电极连接区域连接N电极(403)。

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