[发明专利]一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法

权利要求书

1.一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，其特征是，该方法包含以下步骤：

（1）用质量浓度为0.8%—1.2%的NaOH溶液，在50℃-60℃的温度下清洗单晶硅太阳能电池片上残留的偏磷酸，清洗时间控制在30s以内；

（2）将步骤（1）处理后的电池片在体积浓度为10%-15%的HF清洗液中反应180s—220s去除电池片表面的氧化层；

（3）将步骤（2）处理后的电池片在体积浓度为10%-15%的HCl清洗液中反应180s—220s，去除电池片表面的金属杂质。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，其特征是，步骤（1）中NaOH溶液的质量浓度为1%，清洗时间控制在20 s-30s。

3.根据权利要求1或2所述的一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，其特征是，步骤（2）中所述HF清洗液是由HF﹕H₂O=16﹕120的体积比例配制而成。

4.根据权利要求1或2所述的一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，其特征在于，步骤（3）中所述HCl清洗液由HCl﹕H₂O=16﹕120的体积比例配制而成。