[发明专利]一种气体回流预防装置有效
| 申请号： | 201210371847.1 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856146A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 周旭升;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/305 | 分类号： | H01J37/305;H01J37/02 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 气体 回流 预防 装置 | ||
1.一种气体回流预防装置（1），套置在等离子体刻蚀设备的反应腔（9）内的晶片基座（2）外，其特征在于，所述的气体回流预防装置（1）设为环状本体（11），所述的环状本体（11）上间隔设置多个气道（12），在等离子刻蚀设备工作过程中环状本体（11）的上表面气压大于环状本体（11）的下表面气压。
2.如权利要求1所述的气体回流预防装置（1），其特征在于，所述的气道（12）为通孔（121），通孔（121）的上开口面积小于下开口面积。
3.如权利要求1所述的气体回流预防装置（1），其特征在于，所述的气道（12）为上下贯通的槽（122），槽（122）的上开口面积小于下开口面积。
4.如权利要求1所述的气体回流预防装置（1），其特征在于，所述的气道（12）为上下贯通的几何形状，气道的上开口面积小于下开口面积。
5.如权利要求2所述的气体回流预防装置（1），其特征在于，所述的环状本体（11）的高度大于通孔（121）上孔径与通孔下孔径平均值的2倍。
6.如权利要求3所述的气体回流预防装置（1），其特征在于，所述的环状本体（11）的高度大于槽（122）上槽口宽度与下槽口宽度平均值的2倍。
7.如权利要求4所述的气体回流预防装置（1），其特征在于，所述的环状本体（11）的高度大于几何形状上开口尺寸与下开口尺寸的平均值的2倍。
8.如权利要求1所述的气体回流预防装置（1），其特征在于，所述的气道（12）垂直设置在环状本体（11）中。
9.如权利要求1所述的气体回流预防装置（1），其特征在于，所述的气道（12）斜置在环状本体（11）中，与环状本体（11）构成夹角。
10.如权利要求1所述的气体回流预防装置（1），其特征在于，所述环状本体（11）由金属材料制成。
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