[发明专利]以时间基准为参照的精密光栅制造方法有效
申请号: | 201210371250.7 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102866444A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 刘红忠;蒋维涛;杨俊;丁玉成;卢秉恒 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 汪人和 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 时间 基准 参照 精密 光栅 制造 方法 | ||
1.以时间基准为参照的精密光栅制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)清洗待加工工件;
2)时间映射长度的转换:根据待加工工件的结构参数、工件的材料,对工件进行加工的高能束的脉宽、能量密度以及工件的进给速度,进行以时间为基准映射长度基准的转换,得到以时间为基准的纳米加工控制量:沟槽处连续加工脉冲数N1和高能束循环加工次数N2;
3)根据脉冲数N1控制时钟开关的打开、根据高能束循环加工次数N2达到所需纳米结构的槽深,进行精密光栅的制造。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤2)中沟槽处连续加工脉冲数N1和高能束循环加工次数N2的计算方法如下:
首先,计算单个沟槽处脉冲连续加工时间t1:沟槽处连续加工脉冲数N1:
然后,计算单个凸起处脉冲停止工作时间t2:高能束循环加工次数N2:
其中,待加工工件的纳米结构:L1为槽宽,L2为凸起宽度,H为槽深,ΔT为高能束脉宽,h为单次脉冲加工的深度;v为待加工工件的进给速度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:通过调节高能束的脉宽ΔT、高能束束斑的工作能量密度和工件的进给速度v,调节光栅的加工精度。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于:对于纳米尺度为10nm~100nm的周期的光栅加工,所述高能束为电子束或离子束。
5.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于:对于亚微米至微米尺度为100nm~20μm周期的光栅加工,所述高能束为离子束或激光。
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