[发明专利]数据储存方法、存储器控制器与存储器储存装置有效

专利信息
申请号: 201210368020.5 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103699491B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 叶志刚 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F12/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 数据 储存 方法 存储器 控制器 装置
【权利要求书】:

1.一种数据储存方法,用于具有一闪存模块的一存储器储存装置,该闪存模块具有多个物理抹除单元,每一所述多个物理抹除单元具有多个物理编程单元,该数据储存方法包括:

通过一温度感测器检测该存储器储存装置的一运作温度;

判断该存储器储存装置的运作温度是否大于一预设温度;

倘若该存储器储存装置的运作温度非大于该预设温度时,采用一第一数据储存模式来存取该闪存模块;

倘若该存储器储存装置的运作温度大于该预设温度时,采用一第二数据储存模式来存取该闪存模块,其中该第一数据储存模式不同于该第二数据储存模式;

将一第一数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第一物理编程单元;

从该第一物理编程单元中读取该第一数据并校正所读取的该第一数据;以及

识别发生在从该第一物理编程单元中所读取的该第一数据中的错误位的数目,

其中采用该第二数据储存模式数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括:

判断从该第一物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目是否超过一第二数目且小于一第一数目;

倘若从该第一物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目超过该第二数目且小于该第一数目时,将校正后的该第一数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第二物理编程单元并且将映射该第一物理编程单元的一逻辑地址重新映射至该第二物理编程单元,

其中采用该第一数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括:

判断从该第一物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目是否超过该第一数目;

倘若从该第一物理编程单元中读取的该第一数据中的错误位的数目超过该第一数目时,将校正后的该第一数据写入至所述多个物理抹除单元的所述多个物理编程单元之中的一第三物理编程单元并且将映射该第一物理编程单元的逻辑地址重新映射至该第三物理编程单元,

其中该第二数目小于该第一数目。

2.一种数据储存方法,用于具有一闪存模块的一存储器储存装置,该闪存模块具有多个物理抹除单元,每一所述多个物理抹除单元具有多个物理编程单元,该数据储存方法包括:

通过一温度感测器检测该存储器储存装置的一运作温度;

判断该存储器储存装置的运作温度是否大于一预设温度;

倘若该存储器储存装置的运作温度非大于该预设温度时,采用一第一数据储存模式来存取该闪存模块;以及

倘若该存储器储存装置的运作温度大于该预设温度时,采用一第二数据储存模式来存取该闪存模块,其中该第一数据储存模式不同于该第二数据储存模式;

其中每一所述多个物理抹除单元的物理编程单元包括多个下物理编程单元与多个上物理编程单元并且将数据写入至所述多个下物理编程单元的速度大于将数据写入至所述多个上物理编程单元的速度,

其中采用该第一数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括:从一主机系统接收一第二数据并且将该第二数据写入至所述物理抹除单元之中的一第一物理抹除单元中,其中在该第一数据储存模式中该第一物理抹除单元的下物理编程单元与上物理编程单元会被用来写入数据,

其中采用该第二数据储存模式来存取该闪存模块的步骤包括:从该主机系统接收该第二数据并且将该第二数据写入至所述物理抹除单元之中的一第二物理抹除单元中,其中在该第二数据储存模式中所述第二物理抹除单元的下物理编程单元会被使用来写入数据且所述第二物理抹除单元的上物理编程单元不会被用来写入数据。

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1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

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