[发明专利]有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光二极管领域，尤其涉及一种有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管或有机发光显示器（Organic Light Emitting Diode Display，OLED）又称为有机电致发光二极管，是自20世纪中期发展起来的一种新型显示技术。与液晶显示器相比，有机电致发光二极管具有全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄、低成本、低功耗、快速响应、宽视角、工作温度范围宽、易于柔性显示等诸多优点。有机电致发光二极管的结构一般包括：基板、阳极、阴极和有机功能层，其发光原理是通过阳极和阴极间蒸镀的非常薄的多层有机材料，由正负载流子注入有机半导体薄膜后复合产生发光。有机电致发光二极管的有机功能层，一般由三个功能层构成，分别为空穴传输功能层（Hole Transmittion Layer，HTL）、发光功能层（Emissive Layer，EML）、电子传输功能层（Electron Transmittion Layer，ETL）。每个功能层可以是一层，或者一层以上，例如空穴传输功能层，有时可以细分为空穴注入层和空穴传输层；电子传输功能层，可以细分为电子传输层和电子注入层，但其功能相近，故统称为空穴传输功能层，电子传输功能层。

目前，全彩有机电致发光二极管的制作方法以红绿蓝（RGB）三色并列独立发光法、白光加彩色滤光片法、色转换法三种方式为主，其中红绿蓝三色并列独立发光法最有潜力，实际应用最多，其制作方法是红绿蓝选用不同主体和客体的发光材料。

有机电致发光二极管，根据其驱动方式，可以分为无源驱动和有源驱动两大类。即直接寻址和薄膜晶体管（TFT）矩阵寻址两类。所述有源驱动类有机电致发光二极管即是有源矩阵式有机电致发光二极管（Active Matrix OrganicLight Emitting Device，AMOLED）。请参阅图1，所述有源矩阵式有机电致发光二极管显示装置包括：基板100设于基板100上的TFT阵列300、设于TFT阵列300上并电性连接于该TFT阵列300的有机电致发光二极管本体500及设于该TFT阵列300与有机电致发光二极管本体500之间的绝缘层700，其一般包括8-12层结构，而层数越多，制程也就越复杂，所用的掩模板数量也就越多，其生产效率及产品质量也就越低，且生产成本也较高；此外，存储电容所占面积过大会降低像素单元的开口率。因此有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法有待进一步改进。

发明内容

本发明的目的在于提供有源矩阵式有机电致发光二极管，其制程简单，成本低，且具有较大的开口率。

本发明的另一目的在于提供一种有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法，其简化了生产制程，降低了生产成本，提高生产效率及产品质量。

为实现上述目的，本发明提供一种有源矩阵式有机电致发光二极管，包括：有机电致发光二极管本体及电性连接于该有机电致发光二极管本体的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成于基板上，其包括形成于基板上的半导体层、形成于半导体层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的栅极、形成于栅极上的保护层、及形成于保护层上的源极与漏极，该发光二极管本体包括形成于保护层上并电性连接于薄膜晶体管的阳极、形成于阳极上的有机发光层、及形成于有机发光层上的阴极，所述有机电致发光二极管本体交错设置于该薄膜晶体管的上方。

所述栅极由第一金属层通过光罩制程形成，所述源极与漏极由第二金属层通过光罩制程形成，所述有机电致发光二极管本体的阳极由透明导电层通过光罩制程形成。

所述透明导电层为氧化铟锡层。

所述基板为玻璃或塑胶基板。

所述光罩制程包括曝光、显影及蚀刻工艺。

本发明还提供一种有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、提供基板；

步骤2、在基板上形成半导体层；

步骤3、在半导体层上形成栅极绝缘层；

步骤4、在栅极绝缘层上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；

步骤5、在栅极上形成保护层；

步骤6、在保护层上依次形成透明导电层及第二金属层，并通过光罩制程定义金属传导区域及发光区域，其中，所述第二金属层形成位于金属传导区域的源极与漏极，透明导电层形成发光区域的有机电致发光二极管本体的阳极，该阳极电性连接于漏极；

步骤7、在有机电致发光二极管本体的阳极上形成有机电致发光二极管本体的发光层及阴极，进而制得有源矩阵式有机电致发光二极管。

所述基板为玻璃或塑胶基板。