[发明专利]光电转换装置和成像系统

权利要求书

1.一种光电转换装置，所述光电转换装置包含多个光电转换单元，每个光电转换单元包含多个光电转换元件，并且所述光电转换装置将包含在光电转换单元中的所述多个光电转换元件的信号相加，

其中，所述多个光电转换元件中的每一个包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域，

其中，第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件的第一半导体区域之间，

其中，第二导电类型的第三半导体区域被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件的第一半导体区域之间，以及

其中，第二半导体区域的至少一部分的第二导电类型的杂质浓度比第三半导体区域的第二导电类型的杂质浓度低。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，光电转换单元中的每一个包含由一个微透镜会聚的光入射到的多个光电转换元件。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，第三半导体区域的杂质浓度为第二半导体区域的所述部分的杂质浓度的三倍或更多倍。

4.根据权利要求3所述的光电转换装置，其中，第三半导体区域的杂质浓度为第二半导体区域的所述部分的杂质浓度的十倍或更多倍。

5.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，第二半导体区域包含第一部分和第二部分，并且，第一部分的杂质浓度比第二部分的杂质浓度低，或者关于平面图，第一部分的宽度比第二部分的宽度窄。

6.根据权利要求5所述的光电转换装置，其中，第一部分被布置在与第二部分的深度不同的深度处。

7.根据权利要求5所述的光电转换装置，其中，关于第二半导体区域的平面图，第一部分被布置在与第二部分在平面上不同的位置处。

8.根据权利要求5所述的光电转换装置，其中，第一部分的杂质浓度峰值的深度与第一半导体区域的杂质浓度峰值的深度不同。

9.根据权利要求5所述的光电转换装置，其中，光电转换单元中的每一个包含由一个微透镜会聚的光入射到的多个光电转换元件，以及

其中，第一部分被布置为在至少一个方向上相对于微透镜的中心位置在受光面上的投影位置而偏移。

10.根据权利要求9所述的光电转换装置，其中，偏移量为0.1μm或更大。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的光电转换装置，其中，关于光电转换元件的平面图，所述多个光电转换元件中的每一个被布置在不同的位置处。

12.一种光电转换装置，所述光电转换装置包含多个光电转换单元，光电转换单元包含多个光电转换元件，并且所述光电转换装置将包含在光电转换单元中的所述多个光电转换元件的信号相加，

其中，所述多个光电转换元件中的每一个包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域，其中，彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件的第一半导体区域之间的区域的至少一部分的关于信号电荷的势垒的高度比布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件的第一半导体区域之间的势垒的高度低。

13.根据权利要求12所述的光电转换装置，其中，第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于所述同一光电转换单元中的光电转换元件的第一半导体区域之间的至少一部分中，以及

其中，绝缘体被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件的第一半导体区域之间的区域中。

14.根据权利要求13所述的光电转换装置，其中，第二导电类型的第三半导体区域被布置在所述绝缘体的下部处。

15.根据权利要求12所述的光电转换装置，其中，第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件的第一半导体区域之间的至少一部分中，以及

其中，第二导电类型的第三半导体区域被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件的第一半导体区域之间的区域中。