[发明专利]一种宽带射频开关CMOS电路有效
申请号: | 201210362923.2 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN102843121A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 郭东辉;林昱;李晓潮 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽带 射频 开关 cmos 电路 | ||
1.一种宽带射频开关CMOS电路,其特征在于设有数字控制模块、传输门模块和π型网络模块;
所述数字控制模块的输入端外接数字控制信号;所述传输门模块的输入端接射频信号,传输门模块的控制端接数字控制信号模块的输出端,传输门模块的输出端接π型网络模块的输入端,所述π型网络模块的控制端接数字控制信号模块的输出端,π型网络模块的输出端输出最终信号。
2.如权利要求1所述的一种宽带射频开关CMOS电路,其特征在于所述数字控制模块设有施密特触发器和反相器,施密特触发器的输入端外接数字控制信号输出端,施密特触发器的输出端接反相器输入端,反相器的正反相信号输出端分别接传输门模块的控制端和π型网络模块的控制端。
3.如权利要求1所述的一种宽带射频开关CMOS电路,其特征在于所述传输门的PMOS管和NMOS管均采用深N阱技术,衬底通过大电阻后接电源或地。
4.如权利要求1所述的一种宽带射频开关CMOS电路,其特征在于所述π型网络模块由3个旁路MOS管、两个电感以及隔离电阻组成,其中两个电感感抗值相等,左右两个旁路MOS管大小相同且小于中间的旁路MOS管,电阻阻值较大用以隔离射频信号。
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