[发明专利]一种薄膜晶体管像素单元及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管像素单元，包括：

   位于衬底上的多晶硅图形，所述多晶硅图形包括沟道区域、源极区域、漏极区域和存储电容第一极板区域；

   位于所述多晶硅图形上的栅极绝缘层；

   其特征在于，所述栅极绝缘层包括位于所述沟道区域上方的第一区域和位于所述存储电容第一极板区域上方的第二区域，并且，所述第一区域的厚度大于第二区域的厚度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管像素单元管，其特征在于，所述栅极绝缘层的第一区域的厚度大于第二区域的厚度100埃~500埃。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管像素单元，其特征在于，对应所述多晶硅图形的沟道区域，在栅极绝缘层的上方设置有栅电极;对应所述多晶硅图形的存储电容第一极板区域，在栅极绝缘层的上方设置有存储电容第二极板。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管像素单元，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料为氧化硅或氧化硅和氮化硅的双层结构。

5.一种薄膜晶体管显示装置，其特征在于：包括多个如权利要求1至5任一所述的薄膜晶体管像素单元。

6.一种薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，包括：

  提供衬底；

  在所述衬底上形成多晶硅图形，所述多晶硅图形包括沟道区域、源极区域、漏极区域和存储电容第一极板区域；

  在所述多晶硅图形上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括位于所述沟道区域上方的第一区域和位于所述存储电容第一极板区域上方的第二区域；

  在所述栅极绝缘层上对应沟道区域位置形成光刻胶图形；

  以所述光刻胶图形为掩膜，对所述多晶硅图形进行源极与漏极端掺杂；

  以所述光刻胶图形为掩膜，对所述栅极绝缘层进行刻蚀，刻蚀后所述栅极绝缘层的第一区域的厚度大于第二区域的厚度。

7.一种薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，包括：

  提供衬底；

  在所述衬底上形成多晶硅图形，所述多晶硅图形包括沟道区域、源极区域、漏极区域和存储电容第一极板区域；

  在所述多晶硅图形上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括位于所述沟道区域上方的第一区域和位于所述存储电容第一极板区域上方的第二区域；

  在所述栅极绝缘层上对应沟道区域位置形成光刻胶图形；

  以所述光刻胶图形为掩膜，对所述栅极绝缘层进行刻蚀，刻蚀后所述栅极绝缘层的第一区域的厚度大于第二区域的厚度；

  以所述光刻胶图形为掩膜，对所述多晶硅图形进行源极与漏极端掺杂。

8.如权利要求5或7所述的薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成多晶硅图形包括:

   形成非晶硅层，并对所述非晶硅层进行激光晶化形成多晶硅层，对所述多晶硅层进行光刻刻蚀，形成多晶硅图形。

9.如权利要求6或7所述的薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，所述在栅极绝缘层上对应沟道区域位置形成光刻胶图形，包括：

   在所述栅极绝缘层上形成光刻胶层；

   使用第一掩膜板对所述光刻胶层进行曝光；

   对曝光后的光刻胶层进行显影，在栅极绝缘层上对应沟道区域位置形成光刻胶图形。

10.如权利要求6或7所述的薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，刻蚀后所述栅极绝缘层的第一区域的厚度比第二区域的厚度大100埃~500埃。

11.如权利要求6所述的薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，所述以光刻胶图形为掩膜，对所述半导体层进行源极与漏极端掺杂，掺杂的强度为35kV。

12.如权利要求7所述的薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，所述以光刻胶图形为掩膜，对所述半导体层进行源极与漏极端掺杂，掺杂的强度为25kV。

13.如权利要求6或7所述的薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，还包括：

  在所述栅极绝缘层上，在对应沟道区域的位置形成栅电极，在对应存储电容第一极板区域的位置形成存储电容第二极板。

14.如权利要求6或7所述的薄膜晶体管像素单元的制造方法，其特征在于，还包括：以所述栅电极为掩膜进行LDD掺杂。