[发明专利]具有双寄生元件的平面倒F天线的电子装置有效
申请号: | 201210361947.6 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN103682585A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 杨崇文 | 申请(专利权)人: | 宏碁股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/52;H01Q1/22;H01Q5/01;G06F1/16 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 寄生 元件 平面 天线 电子 装置 | ||
技术领域
本发明是有关于一种电子装置,且特别是有关于一种具有双寄生元件的平面倒F天线的电子装置。
背景技术
随着科技的日新月异,手持式电子装置的体积及尺寸也朝向轻薄短小的方向发展。在产品追求轻量化及小型化的同时,用以收发通信信号的天线所可用的空间必然会受到压缩。再加上物理条件的限制,天线的特性更是受到极大的影响。例如,一般传统笔记本电脑中的天线摆放位置多半位于屏幕的上方。然而,在笔记本电脑追求轻薄短小的演进过程中,背盖经常使用全金属的材料包覆。在这样的情况下,天线便被迫只能设置于系统端的周边。但由于金属屏蔽的效应,天线往往被设置在两个本体间枢转轴的附近,才不会在开合时遭到全金属背盖的屏蔽。但由于枢转轴附近通常也设置许多走线,这样的摆设方式并不能让天线远离系统端其他元件及走线所可能产生的干扰,往往会造成天线的特性下降。
发明内容
本发明提供一种具有双寄生元件的平面倒F天线的电子装置,可以收发低频及高频两种射频信号,并且隔绝由电子装置其他元件所产生的干扰。
本发明提供一种电子装置,包含有一平面倒F天线。其中,平面倒F天线包括天线本体、接地元件、低频寄生部以及高频寄生部。天线本体包括高频辐射部、低频辐射部以及连接部。低频辐射部与高频辐射部朝反方向延伸。连接部具第一端、第二端以及馈入点,其中第一端耦接至高频辐射部及低频辐射部的交接处,第二端耦接至接地元件,而该馈入点则用以接收一信号输入。接地元件连接天线本体的连接部的第二端。低频寄生部从接地元件延伸,邻近天线本体的高频辐射部。高频寄生部从接地元件延伸,位于天线本体及低频寄生部之间,紧邻天线本体的连接部以及高频辐射部。
在本发明一实施例中,天线本体的高频辐射部与连接部共同以平面倒F天线原理产生高频模态,收发高频信号,而高频寄生部用以调整高频信号的阻抗匹配值。天线本体的低频辐射部与连接部共同以平面倒F天线原理产生低频模态,收发低频信号,而低频寄生部用以调整低频信号的阻抗匹配值。
在本发明一实施例中,高频寄生部与连接部及高频辐射部谐振,以增加高频模态的带宽。
在本发明一实施例中,高频信号的中心频率为5G赫兹,以及低频信号的中心频率为2.4赫兹。
在本发明一实施例中,高频寄生部至接地点的长度为高频信号的波长长度的四分之一。低频寄生部至接地点的长度为低频信号的波长长度的四分之
在本发明一实施例中,高频寄生部与连接部的间距介于0.3毫米至1.5毫米之间。
在本发明一实施例中,高频寄生部与高频辐射部的间距介于0.3毫米至1.5毫米之间。
在本发明一实施例中,低频寄生部与高频辐射部的间距介于0.3毫米至1.5毫米之间。并且,低频寄生部与高频辐射部谐振。
在本发明一实施例中,电子装置还包括第一本体及一第二本体。其中,第一本体通过枢转轴与第二本体连接,适于相对第二本体开合。上述的天线设置于第二本体上,并且邻近枢转轴。
在本发明一实施例中,电子装置的第一本体及第二本体分别具有上表面及下表面,其中第一本体的上表面以及第二本体的上表面为金属材质。
在本发明一实施例中,电子装置的第一本体及第二本体分别具有上表面及下表面,其中第一本体的上表面以及第二本体的上表面和下表面为金属材质。
基于上述,本发明提供一种平面倒F天线,可用以收发两种频带的射频信号,并分别具有对应于两个频段的射频信号的寄生部,可隔绝从电子装置其他元件所产生的干扰。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为根据本发明一实施例所示电子装置的示意图;
图2为根据本发明一实施例所示平面倒F天线的结构示意图;
图3A为双频PIFA天线的电压驻波比(Voltage Standing Wave Ratio,简称VSWR)与频率的关系图;
图3B为根据本发明一实施例所示平面倒F天线的电压驻波比与频率的关系图。
附图标记说明:
10:电子装置;
101:第一本体;
102:第二本体;
103、104:枢转轴;
110、120:设置位置;
20:平面倒F天线;
200:天线本体;
201:低频辐射部;
202:高频辐射部;
203:连接部;
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