[发明专利]具有双寄生元件的平面倒F天线的电子装置

权利要求书

1.一种具有双寄生元件的平面倒F天线的电子装置，其特征在于，包含有：

一平面倒F天线，包括：

一天线本体，包括：

一高频辐射部；

一低频辐射部，与该高频辐射部朝反方向延伸；

一连接部，具一第一端、一第二端以及一馈入点，其中该第一端耦接至该高频辐射部及该低频辐射部的交接处，该第二端耦接至该接地元件，而该馈入点则用以接收一信号输入；以及

一接地元件，连接该天线本体的该连接部的该第二端；

一低频寄生部，从该接地元件延伸，邻近该天线本体的该高频辐射部；以及

一高频寄生部，从该接地元件延伸，位于该天线本体及该低频寄生部之间，紧邻该天线本体的该连接部以及该高频辐射部。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

该天线本体的该高频辐射部与该连接部共同以平面倒F天线原理产生一高频模态，收发一高频信号，而该高频寄生部用以调整该高频信号的阻抗匹配值；以及

该天线本体的该低频辐射部与该连接部共同以平面倒F天线原理产生一低频模态，收发一低频信号，而该低频寄生部用以调整该低频信号的阻抗匹配值。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：

该高频寄生部与该连接部及该高频辐射部谐振，以增加该高频模态的带宽。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于：

该高频寄生部至该接地点的长度为该高频信号的波长长度的四分之一；以及

该低频寄生部至该接地点的长度为该低频信号的波长长度的四分之一。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

该高频寄生部与该连接部的间距介于0.3毫米至1.5毫米之间。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

该高频寄生部与该高频辐射部的间距介于0.3毫米至1.5毫米之间。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

该低频寄生部与该高频辐射部的间距介于0.3毫米至1.5毫米之间；以及

该低频寄生部与该高频辐射部谐振。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：

该电子装置包括一第一本体及一第二本体，其中该第一本体通过一枢转轴与该第二本体连接，适于相对该第二本体开合；以及

所述天线设置于该第二本体上，并且邻近该枢转轴。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于：

该电子装置的该第一本体及该第二本体分别具有一上表面及一下表面，其中该第一本体的该上表面以及该第二本体的该上表面为金属材质。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于：

该电子装置的该第一本体及该第二本体分别具有一上表面及一下表面，其中该第一本体的该上表面以及该第二本体的该上表面和该下表面为金属材质。