[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法无效
申请号: | 201210355016.5 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN103681946A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 辜琼谊;杨培 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214028 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,包括形成一碲化镉层,其特征在于:将所述碲化镉层朝向一容器设置,所述容器内放置有氯化铜粉末和铵盐粉末的混合物,或者仅放置氯化铜铵粉末;然后对所述容器进行加热,使容器内的化合物形成气体后在所述碲化镉层上冷凝形成被接触层。
2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述氯化铜粉末、铵盐粉末和氯化铜铵粉末为分析纯。
3.根据权利要求1或2所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述铵盐为氯化铵、硝酸铵或者硫酸铵。
4.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:对所述容器加热的温度为230~400℃。
5.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述氯化铜粉末和铵盐粉末的混合物中氯化铜粉末和铵盐粉末两者之间的质量比例为1∶0.5~1.5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的