[发明专利]具有环形反射层的发光器件

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种具有环形反射层的发光器件。

背景技术

半导体发光器件应用日益广泛，特别是在照明方面有取代白炽灯和荧光灯的趋势，但是目前还面临一些技术上的问题，特别是光取出效率比较低。

近年来，为了提高发光器件的发光功率和效率，发展了垂直结构的发光器件，相对于正装结构的发光器件来说，垂直结构的发光器件诸多优点。对于正装结构的发光器件而言，由于n、p电极都处于衬底的同一侧，因此电流须在同侧的n、p型电极之间横向流动，这样就导致电流拥挤，发热量高。而垂直结构发光器件的两个电极分别处于发光器件的两侧，电流几乎全部垂直流过外延层，没有横向流动的电流，因此电流分布均匀，产生的热量相对较少。并且由于垂直结构的两个电极处于两侧，因此出光过程中不会受到同侧电极的阻挡，其出光效率更高。

在发光器件的实际工作过程中，当光离开二极管内部时，其无论如何都无法避免发生损耗，造成损耗的主要原因，是由于形成发光器件表面层的半导体材料具有高折射系数。高的光折射系数会导致光在该半导体材料表面产生全反射，从而使发光器件内部发出的光无法充分地发射出去。目前，业内已经通过表面粗化技术来改善光在二极管内部的全反射，从而提高发光效率，然而，由于现有技术通常仅对发光器件部分组成结构的表面进行粗化处理，这导致了其粗糙化表面分布不均匀，因此无法有效的提升发光效率。

同时，发光器件发出的光是由其内部结构中的发光层产生的，发光层发出的光主要是通过发光器件的正面发出，而从其侧面发出的光必须先经过发光器件内部结构的全反射，使光线的光路发生改变才能由侧面发出。这就导致了现有发光器件正面出光过多而侧面出光不足，因此也就造成发光器件出光的不均匀。

图1为现有的具有粗化层的发光器件。图1中，衬底101下方形成有透明金属欧姆接触层100，n型电极111通过该透明金属欧姆接触层100而与该衬底101实现电连接。而衬底101上方依次形成GaN缓冲层102、n型GaN层103、多量子阱发光层（MQW）104、p型AlGaN层105、p型GaN层106、透明电极层107，p金属电极112；其中GaN缓冲层102表面被粗化处理，以形成纳米级的锯齿状的表面粗化层122。

在图1所示的发光器件结构中，由于粗化层仅形成于发光器件的内部，即GaN缓冲层102的表面上，因此，由多量子阱发光层104产生的光虽然经过粗化层122的反射，能够在一定的程度上提高侧面的发光效率，但是，这种处于发光器件内部中的粗化层还不足以进一步提高发光效率。

而且，参见图1所示结构的发光器件，可见多量子阱发光层104发出的光大多由发光器件的正面透出，即由透明电极层107的上表面透出，仅有少量的光经过透明电极层107的全反射后由发光器件的侧面透出。因此，图1所示结构的发光器件的发光均匀性还有待改善。

发明内容

本发明针对现有技术的问题，提出了一种具有粗化表面以及反射层的具有环形反射层的发光器件，从而提高发光器件的发光效率和发光均匀性。

本发明提出的具有环形反射层的发光器件具有衬底，所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；所述衬底的下表面形成有透明金属欧姆接触层，所述透明金属欧姆接触层下方形成有n型电极，该n型电极通过所述透明金属欧姆接触层而与所述衬底实现电连接；所述GaN缓冲层的表面被粗化处理后形成第一表面粗化层；所述具有环形反射层的发光器件的上表面、下表面以及所有侧面都形成第二表面粗化层；所述p型GaN层的上表面形成有反射层，该反射层为四方环状结构。

其中，所述四方环状结构的所述反射层的外环与所述发光器件的侧边重合。

其中，所述第一表面粗化层和第二表面粗化层都为纳米级锯齿状粗化层。

其中，所述反射层为Al/Ag合金金属反层、AlAs/AlxGa1-xAs分布布拉格反射层（DBR）、或者AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP分布布拉格反射层（DBR）。

附图说明

附图1为现有技术中仅有部分粗化表面的发光器件结构示意图。

附图2为本发明提出的具有粗化表面以及四方环状结构反射层的发光器件结构示意图。

附图3为图2所示发光器件的平面结构示意图。

具体实施方式