[发明专利]一种超双疏金属表面的制备方法

权利要求书

1.一种超双疏金属表面的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括以下几个步骤：

第一步，金属基底预处理；

第二步，将第一步中处理好的片状金属基底一面附着碳颗粒；

第三步，在金属基底上附着碳颗粒的一侧继续沉积四乙氧基硅烷；

第四步，将第三步中处理好的片状金属基底，置于马弗炉中，在600~1000℃烧2~4h，取出备用；

第五步，将经过第四步处理过的片状金属基底，再次置于室温下真空干燥器中，在真空干燥器中放置聚全氟烷基硅氧烷，真空放置12h以上，使聚全氟烷基硅氧烷气相沉积在金属基底表面；

第六步，取出第五步中放置的聚全氟烷基硅氧烷，在室温下，金属基底继续放置在干燥器中24h以上，之后取出，得到超双疏的金属表面。

2.根据权利要求1所述的一种超双疏金属表面的制备方法，其特征在于：所述的金属基底预处理具体为：先用去离子水超声清洗；然后用无水乙醇超声清洗；再次用氢氧化钠或盐酸溶液腐蚀清洗。

3.根据权利要求2所述的一种超双疏金属表面的制备方法，其特征在于：所述的腐蚀清洗具体为：金属基底放入0.5~1mol/L的氢氧化钠或盐酸溶液中腐蚀20~60min，温度60~90℃烘干后取出待用。

4.根据权利要求1所述的一种超双疏金属表面的制备方法，其特征在于：所述的第二步具体为：片状金属基底一面置于石蜡火焰上方灼烧，每个位置烧灼5~10s，会附着一层30~40nm黑色的碳颗粒，随着碳颗粒的附着，慢慢移动金属基底，直至碳颗粒布满整个金属基底。

5.根据权利要求1所述的一种超双疏金属表面的制备方法，其特征在于：所述的第三步具体为：金属基底置于真空干燥器中放置24h以上，使四乙氧基硅烷气相沉积在金属基底表面，取出备用；在所述的真空干燥器中分别放置有体积比为1:1的四乙氧基硅烷和氨水。

6.根据权利要求1所述的一种超双疏金属表面的制备方法，其特征在于：所述的第五步中，真空干燥器内聚全氟烷基硅氧烷0.05~0.3mL。

7.一种超双疏金属表面，其特征在于：所述的超双疏金属表面对不同PH值水溶液的静态接触角数值均大于170°，对食用油的静态接触角数值均大于150°。

8.根据权利要求7所述的一种超双疏金属表面，其特征在于：所述的超双疏金属表面为微-纳米结构。