[发明专利]一种LED芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201210351716.7 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102983241A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制造 方法 | ||
1.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
（1）、在蓝宝石衬底上制作掩蔽层，所述掩蔽层为SiO2；
（2）、在所述掩蔽层上制作光刻胶图案，所述光刻胶图案在掩蔽层表面形成多个单元，各单元之间有部分掩蔽层露出；
（3）、在露出的掩蔽层上进行激光刻线，划至所述蓝宝石衬底，形成释放应力线，该释放应力线将蓝宝石衬底划分为多个芯片单元；激光刻线所采用的激光波长为200-400nm，释放应力线宽度为2-15微米，划线深度为15-50微米；
（4）、去除所述光刻胶图案；
（5）、以所述掩蔽层作为掩膜，使用磷酸、硫酸的混合液对释放应力线侧壁进行腐蚀，清除划线生成物，其中磷酸、硫酸的体积比为1：3；
（6）、使用清洗液去除所述掩蔽层，清洗液为BOE溶液或氢氟酸。
（7）、在上述步骤得到的表面具有释放应力线的蓝宝石衬底上生长GaN基半导体外延层，该半导体外延层至少包括N型半导体层、位于所述N型半导体层之上的有源层，以及位于所述有源层之上的P型半导体层；
（8）、对每个芯片单元进行刻蚀，以露出部分所述N型GaN层，然后在露出的N型GaN层上制作N电极、在P型GaN层上制作透明电极和P电极；
（9）在芯片表面制作钝化层，并露出N电极和P电极得到LED晶片；对LED晶片进行背面研磨减薄，再用裂片机裂片得到LED芯片。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩蔽层的厚度为6～8微米。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（3）中的激光波长为355nm，释放应力线宽度为6微米，划线深度为25微米。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（4）中采用去膜剂清洗，清洗时间为10-20分钟。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（5）中腐蚀温度为300-350℃，腐蚀时间为50-60分钟。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（7）中制备半导体外延层时，优选金属有机化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延等技术。
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