[发明专利]一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法

权利要求书

1.一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：

步骤1）采用电子束沉积工艺在洁净的硅或氧化硅衬底上蒸镀5-8 nm厚的金纳米颗粒薄膜；

步骤2）利用修饰金纳米颗粒的衬底为生长基底，采用物理气相沉积法制备有机单晶纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的制备有序一维有机纳米线阵列的方法，其特征在于，所述步骤（2）中的所述物理气相沉积法（PVD）制备有机单晶纳米线阵列，具体生长步骤如下：按照气流的流动方向将制备所述有机纳米线阵列的前驱体置于瓷舟中，并将其放入真空管式炉的中心温区；取镀金衬底置于所述真空管式炉的低温区，所述衬底距离中心温区10-2Ocm ；启动真空泵，抽真空至所述炉腔内压强低于1 Pa 后，向炉腔内通入惰性保护气体氩气至所述炉腔内的压强为4×10⁴-6×10⁴ Pa，再次抽真空至炉腔内压强低于1 Pa ，如此重复3次确保管腔内残余氧气都被抽走后，往石英管中通入氩气，保持气体流速为30-60 sccm，并将腔内气压调至220-260 Pa ，密封真空管；开启加热装置，以10-20 ℃／分钟的升温速率，将所述真空管式炉的中心温区加热至所述前驱物的蒸发温度，此时中心温区的温度为380-420 ℃，生长衬底的温度为100-200 ℃；维持上述蒸发温度10-60 分钟后停止加热，并使系统自然冷却至室温，然后向所述炉腔内通入氩气至一个大气压，打开炉腔，即可在所述生长衬底上得到大面积有序交叉取向生长的一维有机纳米线阵列。

3.根据权利要求1、2所述的制备有序一维有机纳米线阵列的方法，其特征在于，制备所述一维有机纳米线阵列的前驱体为能够用于物理气相沉积法进行纳米结构生长的材料，所述步骤（1）、（2）中的所述衬底上的金薄膜以不连续纳米颗粒膜的形式存在，在纳米阵列结构生长起催化成核的作用。

4.根据权利要求1所述的制备有序一维有机纳米线阵列的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，向所述炉腔内通入非氧化性气体至一个大气压时，为了防止突然涌入的大气流破坏有机纳米阵列结构，所通入的非氧化性气体的流量不高于1O0sccm，所述步骤（2）中使所述真空管式炉中心温区的温度在酞菁铜纳米线阵列生长时最优化温度为415℃。

5.根据权利要求1、2所述的制备有序一维有机纳米线阵列的方法，其特征在于，所述制备方法中所用的非氧化气体为氮气、氩气或氢氩（体积比95 : 5 ）混合气体等，所述一维有机纳米线阵列为酞菁铜纳米线阵列、酞菁钴纳米线阵列、酞菁锌纳米线阵列、酞菁铁纳米线阵列、氟化酞菁铜纳米线阵列和氟化酞菁钴纳米线阵列等酞菁类衍生物。