[发明专利]一种掩膜板对准标记布局方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子制造领域，尤其涉及一种掩膜板对准标记布局方法。

背景技术

光刻技术伴随集成电路制造工艺的不断进步，线宽的不断缩小，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的IC（集成电路）随后到LSI（大规模集成电路）, VLSI（超大规模集成电路），直至今天的ULSI（特大规模集成电路），器件的面积进一步缩小，功能更为全面强大。考虑到工艺研发的复杂性，长期性和高昂的成本等等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，在同一枚硅片上尽可能多的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者，制造商的重视。

掩模板便首当其冲。在半导体制造中，掩模板充当着载体的角色，正是依靠它，光刻能够在硅片上实现设计者的思路，让半导体实现各种功能。随着光刻技术不断向更为细小的技术节点迈进，掩模板的价格也不断激增；与之相反的是关键层的套准精度不断缩小。

若无法满足技术的需求，产品的合格率无法保证，随之而来的就是先期投入的浪费、错过市场黄金需求期，商业的巨大损失。

为保证套准精度，业界常用如图1所示的掩模板对准方式，其中为确保光刻机的套准精度，图1中的对准标记3-6的坐标分别如图2所示，其中掩膜板上的实际图形区域分别为4-1和4-2。

这种掩膜板的对准标记布局模式对于步进式重复曝光光刻机（Stepper）而言会造成光学镜头局部受热不均匀的问题，这一问题会导致图形形变恶化，进而降低光刻机的套准精度表现。随着技术的不断前进，产品套准规格的要求越发严格，这一问题正不断凸显出来。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，现提供了一种掩膜板对准标记布局方法的技术方案，具体如下：

一种掩膜板对准标记布局方法，适用于步进式重复曝光光刻机，其中，包括以下步骤：

步骤a，在掩膜板上分布XOY坐标轴，将掩膜板的中心点设为所述坐标轴的原点；

步骤b，所述坐标轴的X轴单位设为毫米（mm），所述坐标轴的Y轴单位设为毫米（mm）；

步骤c，在所述掩膜板上，依据XOY坐标轴设置坐标为（-46，-4.8）的对准标记1；

步骤d，在所述掩膜板上，依据XOY坐标轴设置坐标为（46，4.8）的对准标记2；

优选的，该掩膜板对准标记布局方法，其中，在所述掩膜板上设置有多层使用同一类光刻曝光设备的光刻工艺层。

优选的，该掩膜板对准标记布局方法，其中，在所述掩膜板上，依据XOY坐标轴设置坐标为（-46,67.8）的对准标记3；

优选的，该掩膜板对准标记布局方法，其中，在所属掩膜板上，依据XOY坐标轴设置坐标为（46,67.8）的对准标记4；

优选的，该掩膜板对准标记布局方法，其中，在所述掩膜板上，依据XOY坐标轴设置坐标为（-46，-67.8）的对准标记5；

优选的，该掩膜板对准标记布局方法，其中，在所述掩膜板上，依据XOY坐标轴设置坐标为（46，-67.8）的对准标记6；

优选的，该掩膜板对准标记布局方法，其中，每个所述对准标记与所述掩膜板上的设计图形之间的距离为1.5毫米。

上述技术方案的有益效果：克服了掩膜板下部曝光而上部不发生曝光，从而使得上部的对准标记与下部的对准标记通过温度不均匀的镜头，进而导致对准发生漂移，从而套准精度恶化的情况；进而能够真实地反应镜头的受热变化，从而改进掩膜板的套准精度。

附图说明

图1是现有技术中常用的掩膜板对准布局方法的示意图；

图2是现有技术中常用的掩膜板对准标记坐标数值的表图；

图3是本发明一种掩膜板对准标记布局方法的实施例的掩膜板仰视图；

图4是本发明一种掩膜板对准布局方法的实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

如图3所示为本发明其中一个实施例的俯视图，该掩膜板适用于步进式重复曝光光刻机，其采用多层整合光罩结构（Multi-Layer Mask，MLM），具体为将多层使用同一类光刻曝光设备的光刻工艺层放在同一块掩膜板上，这样能够最大限度的使用掩膜板，进而节约成本。

该掩膜对准布局方法的步骤包括：

步骤a，在掩膜板上分布XOY坐标轴，将掩膜板的中心点设为坐标轴的原点；