[发明专利]一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法

权利要求书

1.一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：选取一裸晶圆；

步骤2：以所述裸晶圆边缘处为起点，分别从0°、80°、180°和270°四个角度到所述裸晶圆中心位置的0-5000μm距离内，以1000μm为单位在所述裸晶圆上标注刻度线；

步骤3: 以所述裸晶圆上的所述四个角度标注的刻度线上的各3000μm处为参照点，所述参照点分别为第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点； 

步骤4：分别计算经检测后的所述裸晶圆上在所述第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点处得到的测量值，所述测量值对应分别为第一测量值、第二测量值、第三测量值、第四测量值；

步骤5：计算所述第一参照点与所述第一测量值、所述第二参照点与所述第二测量值、所述第三参照点与所述第三测量值、所述第四参照点与所述第四测量值的差值。

2.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，将步骤1中所选的所述裸晶圆作为量测检测机台稳定性和精确性的标准片。

3.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤2中所述裸晶圆边缘处的刻度为0。

4.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤2中所述裸晶圆上的刻度从边缘处至中心位置方向递增。

5.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤2中在所述裸晶圆边缘处选择任意一点，设所述任意一点到所述裸晶圆中心位置的方向为起始度0°，所述80°、180°和270°分别以所述0°为基准测量。

6.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤4中的检测机台为CV300R。

7.根据权利要求1所述的光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法，其特征在于，步骤5中计算得出的四个差值的绝对值均小于20μm，则检测机台的稳定性和精确性符合标准。