[发明专利]大功率LVDS方波信号驱动电路

权利要求书

1.一种大功率LVDS方波信号驱动电路，其特征在于它含有：

一个非交叠方波控制信号产生电路，包括有源晶体振荡器U4、非门U1A、非门U1B、非门U1C、与非门U2A、与非门U2B、驱动器U3A和驱动器U3B，

其中，U4的方波输出分别接U1A的输入和U2B的输入端B2，U1A的输出接U2A的输入端A1，U2A的输出接U1B的输入且接到U2B的输入端A2，U2B的输出接U1C的输入且接到U2A的输入端B1，U1B的输出接U3A的输入，U1C的输出接U3B的输入，U3A的输出为非交叠方波控制信号产生电路的控制输出正信号U_out+，U3B的输出为非交叠方波控制信号产生电路的控制负输出信号U_out-；和

一个MOSFET驱动开关电路，包括N型功率MOSFET M1、N型功率MOSFET M2、N型功率MOSFET M3、N型功率MOSFET M4，

其中，M1的漏极接2.4V电源，M1的源极和M2的漏极并联且与电阻R1相接，M2的源极接地，M2的漏极和M1的源极并联且与电阻R1相接，M3的源极接地，M3的漏极和M4的源极并联且与电阻R2相接，M4的漏极接2.4V电源，M4的源极和M3的漏极并联且与电阻R2相接，M1和M3的栅极并联且与非交叠方波控制信号产生电路的控制输出正信号U_out+相接，M2和M4的栅极并联接非交叠方波控制信号产生电路的控制输出负信号U_out-；和

一个输出匹配网络，包括：电阻R1、电阻R2，

其中，R1的一端分别接M1的源极和M2的漏极，R1的另一端为大功率LVDS方波信号驱动电路的输出正端V_out+，且与负载相接，R2的一端接M4的源极和M3的漏极，R1的另一端为大功率LVDS方波信号驱动电路的输出负端V_out-，且与负载相接。

2.根据权利要求1所述的大功率LVDS方波信号驱动电路，其特征在于所述有源晶体振荡器U4为常规有源石英晶体振荡器，输出为CMOS电平，输出频率小于10MHz。

3.根据权利要求1所述的大功率LVDS方波信号驱动电路，其特征在于所述非门U1A、非门U1B、非门U1C均为美国德州仪器公司Texas Instuments的SN74AHCT04电路。

4.根据权利要求1所述的大功率LVDS方波信号驱动电路，其特征在于所述与非门U2A、与非门U2B均为美国德州仪器公司Texas Instuments的SN74AHCT00电路。

5.根据权利要求1所述的大功率LVDS方波信号驱动电路，其特征在于所述驱动器U3A、驱动器U3B为美国美信Maxim公司的MAX627MOSFET栅极驱动器。

6.根据权利要求1所述的大功率LVDS方波信号驱动电路，其特征在于所述功率开关M1、M2、M3、M4为美国IR公司的N沟道场效应晶体管IRF7413，其导通电阻在V_GS为5V下的最大值为0.018Ω，持续漏极电流为13A。