[发明专利]用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料

权利要求书

1.一种用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料，其化学通式为Al_100-x-yGe_xTe_y，其中50＜x+y＜100，0.25＜x/y＜4。

2.如权利要求1所述的一种用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料，其中80＜x+y＜100，0.8＜x/y＜1.25。

3.如权利要求书1或2所述的Al-Ge-Te相变材料的制备方法，选自物理气相沉积法、化学气相沉积法、电镀法、溶胶凝胶法和金属有机物沉积法。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的物理气相沉积法选自溅射镀膜法、真空蒸镀膜法、电弧等离子体镀膜法、离子镀膜和分子束外延成膜法。

5.如权利要求4所述的制备方法，其中，溅射镀膜法包括以下步骤：

（1）将洗净烘干后的的基底装入真空溅射室内，达到一定真空度时通入气体Ar起辉；

（2）转动装载基片的样品台，开启溅射电源，将Ar流量调节至溅射状态；

（3）沉积完成后关闭电源，停止通入Ar，停止转动，取出基底，进行后续加工；

其中，真空度为≤1×10^-4Pa，溅射气压为0.1-0.5Pa，溅射气体为Ar，溅射温度为20-300℃，溅射时间为0.5-30分钟，沉积薄膜厚度为5-300纳米。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述Ar的起辉流量为200sccm。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述Ar的溅射流量为50sccm。

8.如权利要求4-7任一所述的制备方法，其特征在于，所述溅射镀膜法选自：

（1）选用Al-Ge-Te三元素合金靶磁控共溅射；

（2）选用Al、Ge、Te单质靶磁控共溅射；

（3）选用Al、Ge和Te中的一种元素的单质靶和另外两种元素的合金靶磁控共溅射。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，选用Al、Ge、Te单质靶磁控共溅射时各靶的射频电源功率为：Al 10-30W、Ge 10-30W、Te 5-30W。

10.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积法的原料选自[N(CH₃)₂]₄Ge、GeH₄、(C₃H₇)₃Te和Al(CH₃)₃。

11.如权利要求1或2所述的Al-Ge-Te相变材料在相变存储器中的应用。