[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机半导体材料领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51 lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，使得器件整体出光性能较低。

发明内容

本发明所要解决的问题在于提供一种出光效率较高的有机电致发光器件。

本发明的技术方案如下：

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、散射层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层；所述散射层的材质为碳酸盐与金属氧化物按照4:1~1:4的质量比组成的混合材料，所述碳酸盐为碳酸钙、碳酸钡、碳酸钠、或碳酸铯；所述金属氧化物为氧化镁或氧化铝。

所述的有机电致发光器件，其中，所述阳极层的材质为掺铟氧化锡、掺铟氧化锌或掺铝氧化锌。

所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨、或五氧化二钒。

所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。

所述的有机电致发光器件，其中，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝。

所述的有机电致发光器件，其中，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。

所述的有机电致发光器件，其中，所述阴极层的材质为金属银、铝、铂或金；所述玻璃基底为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃或铟锌氧化物玻璃。

本发明还提供上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

S1、将玻璃基底进行光刻处理，然后清洗玻璃基底，干燥；

S2、将质量比为4:1-1:4的碳酸盐和金属氧化物，以及玻璃基底置于真空镀膜设备中，采用热阻蒸镀或电子束工艺，在玻璃基底表面制备一层材质为碳酸盐和金属氧化物混合组成的散射层；其中，所述碳酸盐为碳酸钙、碳酸钡、碳酸钠、或碳酸铯；所述金属氧化物为氧化镁或氧化铝；

S3、将步骤S2制得的含散射层的玻璃基底置入磁控溅射设备的反应室中，在所述散射层表面制备一层阳极层；

S4、将经步骤S3工艺得到的玻璃基底置于真空蒸镀设备的反应室中，在阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层；

上述工艺结束后，制得所述有机电致发光器件。

本发明提供的有机电致发光器件，散射层的材质为碳酸盐和金属氧化物混合而成，金属氧化物可对光进行散射，同时防止阳极层材料向玻璃基底进行渗透传输，破坏基底，起到隔绝阳极的效果，而碳酸盐进一步提高金属氧化物的比表面积，使更多的光线可以进行散射，同时，碳酸盐的加入，可以使金属氧化物分割开来，防止在制备过程中金属氧化物形成块状结构；使全反射的临界角得到有效增大，降低全反射的几率，使更多的光线散射出去，提高光散射能力，进而有利于光的发射和传播，使器件整体出光性能得到提高。

附图说明

图1为本发明制得的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为实施例1和对比例1的有机电致发光器件的电流密度与流明效率曲线图。

具体实施方式