[发明专利]主动元件、驱动电路结构以及显示面板

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电子元件，且特别是有关于一种主动元件、驱动电路结构及显示面板。

背景技术

近年来，有许多研究指出氧化物半导体(oxide semiconductor)薄膜晶体管相对于非晶(amorphous)硅薄膜晶体管，具有较高的载子移动率(mobility)，而氧化物半导体薄膜晶体管相对于低温多晶硅(low temperature polycrystalline silicon)薄膜晶体管，则具有较佳的临界电压(threshold voltage,Vth)均匀性。因此，氧化物半导体薄膜晶体管有潜力成为下一代电子装置的关键元件。

然而，当薄膜晶体管被要求具备有高的通道宽度与通道长度的比值(W/L ratio)并且需要被设置于有限的面积内时，薄膜晶体管的源极与漏极需要设计为特定的布局方式，这使得源极与漏极之间可能发生寄生电流而影响薄膜晶体管的性能。如此一来，即使使用氧化物半导体材料制作薄膜晶体管的通道，仍无法改善薄膜晶体管的性能。

发明内容

本发明提供一种主动元件，可以具有理想的通道宽度与通道长度的比值以及理想的元件特性。

本发明提供一种驱动电路结构，包括有高通道宽度与通道长度的比值以及理想元件特性的主动元件。

本发明提供一种显示面板，设置有元件特性良好的主动元件而具有理想的品质。

本发明提出一种主动元件，其配置于一基板的一元件配置区中。主动元件包括一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一蚀刻终止层、一源极与一漏极。栅极包括多个第一方向部以及多个第二方向部。第一方向部与第二方向部交替连接而在基板上构成一蜿蜒图案，其中第一方向部彼此平行，第二方向部彼此平行，且第一方向部的延伸方向相交于第二方向部的延伸方向。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于该栅极上方。半导体层的面积实质上定义出上述元件配置区。蚀刻终止层配置于栅绝缘层以及半导体层上，并具有暴露出半导体层且彼此互不连通的一第一接触开口以及一第二接触开口。第一接触开口具有平行于第一方向部的多个第一指状部以及连接于第一指状部且平行于第二方向部的至少一第一连接部。第二接触开口具有平行于第一方向部的多个第二指状部以及连接于第二指状部且平行于第二方向部的至少一第二连接部。各个第一指状部与其中一个第二指状部分别位于其中一个第一方向部的两侧。源极配置于蚀刻终止层上并通过第一接触开口接触于半导体层。漏极配置于蚀刻终止层上并通过第二接触开口接触于半导体层，且源极与漏极彼此分离。

本发明另提出一种驱动电路结构，其配置于一基板上。基板具有至少一元件配置区以及至少一构件区，且驱动电路结构用以驱动构件区中的至少一构件，其中驱动电路结构包括位于元件配置区中的至少一主动元件。主动元件包括一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一蚀刻终止层、一源极与一漏极。栅极包括多个第一方向部以及多个第二方向部。第一方向部与第二方向部交替连接而在基板上构成一蜿蜒图案，其中第一方向部彼此平行，第二方向部彼此平行，且第一方向部的延伸方向相交于第二方向部的延伸方向。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于该栅极上方。半导体层的面积实质上定义出上述元件配置区。蚀刻终止层配置于栅绝缘层以及半导体层上，并具有暴露出半导体层且彼此互不连通的一第一接触开口以及一第二接触开口。第一接触开口具有平行于第一方向部的多个第一指状部以及连接于第一指状部且平行于第二方向部的至少一第一连接部。第二接触开口具有平行于第一方向部的多个第二指状部以及连接于第二指状部且平行于第二方向部的至少一第二连接部。各个第一指状部与其中一个第二指状部分别位于其中一个第一方向部的两侧。源极配置于蚀刻终止层上并通过第一接触开口接触于半导体层。漏极配置于蚀刻终止层上并通过第二接触开口接触于半导体层，且源极与漏极彼此分离。