[发明专利]一种薄膜烧蚀传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述薄膜烧蚀传感器（1）包括基底（2），设于基底（2）上的过渡层（3），设于过渡层（3）上的烧蚀电阻（4）；所述烧蚀电阻（4）上设有保护膜（6）；所述烧蚀电阻（4）是由两个以上的电阻构成的电阻序列；所述电阻包括引线焊接盘区（5）；所述引线焊接盘区（5）通过引线（10）与转接板（13）连接；所述基底（2）材料为硅片、Al₂O₃陶瓷、硼硅玻璃中的至少一种；所述过渡层（3）材料为Ta₂O₅；所述保护膜（6）为电介质材料。

2.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述基底（2）上设有高度调节孔（9）。

3.如权利要求2所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述高度调节孔（9）为1.6mm×10mm 通孔。

4.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述基底（2）直径为50mm～150mm，厚度0.5mm～1mm；所述过渡层（3）厚度为0.05μm～0.1μm；所述烧蚀电阻（4）厚度为0.2μm～0.5μm；所述保护膜（6）厚度为0.1μm~0.2μm。

5.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述烧蚀电阻（4）材料为Au。

6.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述烧蚀电阻（4）的多列电阻彼此间隔≤500μm。

7.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述保护膜（6）材料为SiO₂。

8.一种如权利要求1~7之一所述的薄膜烧蚀传感器的制备方法，包括如下步骤：

（1）清洗基底；

（2）通过溅射淀积技术在基底表面沉积过渡层薄膜，在过渡层上淀积烧蚀电阻薄膜；

（3）利用光刻技术在步骤（2）形成的烧蚀电阻薄膜上制作烧蚀电阻的光刻胶掩膜图形，再利用湿法腐蚀技术或干法刻蚀法以光刻胶为掩膜层刻蚀出烧蚀电阻，刻蚀深度为烧蚀电阻薄膜厚度；

（4）在步骤（3）制备的烧蚀电阻上制备出保护膜的光刻胶掩膜图形，利用物理气相淀积技术淀积出薄膜烧蚀电阻保护膜；

（5）在经步骤（1）至（4）处理后的基底表面制作高度调节孔；

（6）切片制得薄膜烧蚀传感器；

（7）将薄膜烧蚀传感器上烧蚀电阻的引线焊接盘区通过引线与转接板连接。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤（5）是采用激光打孔或超声打孔技术在经步骤（1）至（4）处理后的基底表面制作高度调节孔。