[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201210320541.3 | 申请日: | 2012-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN103066212A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
| 发明(设计)人: | 李晙硕;金世埈;柳俊锡 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉参考
本申请要求2011年9月2日提交的韩国专利申请号10-2011-0089277的优先权,在此援引该专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来,越来越多地使用诸如笔记本和个人移动装置这样的便携式电子装置。这些装置包括显示装置。为使其每次电池充电使用时间最大化,比较理想的是使用重量轻和低功耗技术构成这些显示装置,这些技术例如使用诸如液晶显示器(LCD)和有机电致发光装置这样的平板显示器(FPD)。
有机电致发光装置优于其他显示技术,优点包括例如有机电致发光装置具有亮度高、具有操作电压低的特性、由于以自主发光的自发光型显示器进行操作而具有高对比度、能够实现超薄显示器、便于使用几微妙(μs)的响应时间实现运动图像、视角无限制、即使在低温时仍具有稳定性,以及由于以例如5到15V之间的低直流电压操作而能够灵活制造和设计驱动电路。
有机电致发光装置可分为无源矩阵型或有源矩阵型。在无源矩阵型中,有机电致发光装置可以以其中栅极线和数据线彼此交叉的矩阵形式构造,按照时间顺序地驱动栅极线,以驱动每个像素。因而,为了获得特定的瞬时亮度,总是需要与平均亮度乘以行数相等的功率量来显示该瞬时亮度。
在有源矩阵型中,使用导通和关断单独像素的薄膜晶体管,对于每个子像素单元,可导通或关断与薄膜晶体管耦接的第一电极,与第一电极面对的第二电极可成为公共电极。此外,施加给像素的电压可以被充电在存储电容(CST)中,并且该电压可一直被施加到下一帧信号被施加为止。因而,与无源矩阵型相比,在有源矩阵型中,像素可持续被驱动一帧,而不管栅极线的数量如何。结果,即使施加相当低的电流,仍可获得相同的亮度。这具有甚至在大尺寸屏幕显示器中仍可提供低功耗的优点。近年来,至少由于这个原因,有源矩阵型有机电致发光装置越来越被广泛地使用。
图1是示出典型的有源矩阵型有机电致发光装置的一个像素的电路图。参照图1,有源矩阵型有机电致发光装置的一个像素可包括开关薄膜晶体管(STr)、驱动薄膜晶体管(DTr)、存储电容器(StgC)和有机电致发光二极管(D)。在第一方向上形成栅极线(GL),在与第一方向交叉的第二方向上形成数据线(DL),从而形成像素区域(P),且形成与数据线(DL)分离的电源线(PL)以施加电源电压。
开关薄膜晶体管(STr)和与所述开关薄膜晶体管(STr)电耦接的驱动薄膜晶体管(DTr)形成在其中数据线(DL)和栅极线(GL)交叉的部分处。作为有机电致发光二极管(D)的一端的第一电极与驱动薄膜晶体管(DTr)的漏极电极耦接,作为另一端的第二电极与电源线(PL)耦接。这里,电源线(PL)向有机电致发光二极管(D)传输电源电压。此外,存储电容器(StgC)可以形成在驱动薄膜晶体管(DTr)的栅极电极与源极电极之间。
当通过栅极线(GL)施加信号时,开关薄膜晶体管(STr)导通,并且数据线(DL)的信号被传输到驱动薄膜晶体管(DTr)的栅极电极,从而导通驱动薄膜晶体管(DTr),由此通过有机电致发光二极管(D)发光。此时,当驱动薄膜晶体管(DTr)进入导通(ON)状态时,从电源线(PL)流过有机电致发光二极管(D)的电流量被确定,由此确定了灰度级。当开关薄膜晶体管(STr)截止时,存储电容器(StgC)可起到恒定地保持驱动薄膜晶体管(DTr)的栅极电压的作用,由此即使开关薄膜晶体管(STr)在此之前进入截止(OFF)状态,仍将流过有机电致发光二极管(D)的电流量一直恒定地保持到下一帧为止。执行这种驱动操作的有机电致发光装置可分为顶发光型和底发光型。
图2是示出顶发光型有机电致发光装置的平面图,图3是作为图2的“A”部分的剖面图,示出了顶发光型有机电致发光装置的包括驱动薄膜晶体管的一个像素区域的剖面图。参照图2和图3,第一基板10和第二基板70彼此面对设置,第一基板10和第二基板70的边缘部分由密封图案80密封。
每个像素区域(P)都形成驱动薄膜晶体管(DTr),通过接触孔32与每个驱动薄膜晶体管(DTr)耦接的第一电极34形成在第一基板10的上部,与驱动薄膜晶体管(DTr)耦接并包含对应于红色、绿色和蓝色的发光材料的有机发光层38形成在第一电极34的上部,第二电极42形成在有机发光层38的上部的前表面处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





