[发明专利]充分成型的扇出

说明书

技术领域

本公开涉及半导体设备的板式封装的领域。

背景

在工业中获得接受的板式封装的一般实现是扇出型晶片级封装（WLP），其中多个管芯单元面向下放置在临时胶带载体上。使用压缩成型工艺用模塑料使多个管芯单元和临时胶带载体包覆成型。在成型后，去除胶带载体，让多个管芯单元的有源表面暴露在通常称为重组晶片的结构中。随后，晶片级芯片尺寸封装（WLCSP）组合结构在重组晶片的顶部上形成。球栅阵列（BGA）球连接到重组晶片，并且然后重组晶片用锯分割以形成单独的封装件。

附图简述

在附图的图中，作为例子而不是作为限制示出了本公开。

图1A示出了重组晶片的一个实施方式。

图1B-1D根据实施方式示出了布置在重组晶片中的多个封装件或模块的俯视图。

图2是示出了用于制造半导体封装件的工艺的实施方式的流程图。

图3示出了设备晶片的实施方式，扇入型RDL结构和导电接线柱构建在所述设备晶片上。

图4示出了设备晶片的实施方式，扇入型RDL结构和导电接线柱构建在所述设备晶片上。

图5根据实施方式示出了安装在载体元件上的管芯单元。

图6根据实施方式示出了包封在模塑料中的管芯单元。

图7根据实施方式示出了被包封在模塑料中并贴有锡球的管芯单元。

图8根据实施方式示出了被分割的设备封装件。

图9示出了球栅阵列（BGA）半导体设备封装件的实施方式。

图10示出了四方扁平无引脚（QFN）半导体设备封装件的实施方式。

详细描述

下面的描述阐述了许多具体细节，例如具体的系统、部件、方法等的实例，以便提供对本发明的几个实施方式的好的理解。然而对于本领域技术人员很明显，可在没有这些具体细节的情况下实践本发明的至少一些实施方式。在其他实例中，众所周知的部件或方法未被详细描述或者以简单的框图形式出现，以便避免不必要地使本发明难理解。因此，所阐述的具体细节仅是示例性的。具体实现可从这些示例性细节变化且仍然被设想在本发明的精神和范围之内。

如本文所用的术语“在…上方”、“在…之间”和“在…上”是指一层相对于其他层的相对位置。沉积或布置在另一层上方或下方的一层可直接与该另一层接触或可具有一个或多个中介层。沉积或布置在几层之间的一层可直接与这几层接触或可具有一个或多个中介层。相反，在第二层“上”的第一层与该第二层接触。

本文公开的实施方式包括可应用于板式封装例如扇出型WLCSP的方法和结构。在以下描述中，关于单个管芯应用描述了具体实施方式。本发明的实施方式在多管芯模块或管芯与无源部件（例如，电容器、电感器或电阻器）和/或模块内的其他部件（例如，光学元件、连接器或其他电子部件）的某种组合中也可能是有用的。

在一个实施方式中，用于封装半导体设备的方法可包括通过用模塑料包围管芯单元的所有侧面来将半导体管芯单元包封在模塑料内。在一个实施方式中，可包封半导体管芯单元，使得管芯单元的所有六个侧面被模塑料覆盖。

在一个实施方式中，该工艺可包括在管芯单元和载体例如胶带载体之间产生空隙以允许模塑料流入管芯单元和载体之间的空隙中。在一个实施方式中，可通过在管芯单元上构建隔板元件然后将管芯单元置于载体上以使隔板将管芯单元与载体表面隔开来产生空隙。

在一个实施方式中，隔板元件还可用来将管芯单元的一个或多个接合焊盘电连接到半导体封装件的外表面。例如，隔板元件可包括可由被镀在半导体管芯单元的接合焊盘上的材料例如铜构建的一个或多个导电接线柱。

在一个实施方式中，焊盘在本文可被称作“接合焊盘”，不论是否有任何电线粘合到所述焊盘上。因此接合焊盘可以是可进行电连接以给集成在管芯单元内的电路提供信号或接收来自集成在管芯单元内的电路的信号的任何点。

因此，在一个实施方式中，半导体管芯单元可实质上被模塑料包封，使得管芯单元的大部分被模塑料包围，可能除了任何导电通路例如管芯单元和封装件外部之间的导电接线柱以外。

在一个实施方式中，扇入型再分布层（RDL）结构可构建在管芯单元上，且隔板元件例如导电接线柱可构建在扇入型RDL结构上。在一个实施方式中，扇入型RDL可用于在X-Y平面中移动连接点，使得连接点在X-Y平面中较接近于彼此而间隔开。相反，扇出型RDL可用来在X-Y平面中使连接点移动得隔得更远。这两种类型的RDL都可以在远离可包括管芯单元的接合焊盘的原始连接点的Z方向上建立新的连接点。